SI3911DV-T1 是一款由 Vishay 推出的雙� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 功率晶體�,采用小型化� TSSOP-8 封裝形式。該器件適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和低導(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�。它具有出色的開�(guān)性能、高電流承載能力和較低的功耗特�,適合用于消�(fèi)電子、通信�(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)��
SI3911DV-T1 的設(shè)�(jì)旨在提供卓越的電氣性能與緊湊的物理尺寸,使其成為對(duì)空間敏感的設(shè)�(jì)的理想選�。此外,其封裝形式也具備良好的散熱性能,有助于提高系統(tǒng)整體效率�
型號(hào):SI3911DV-T1
品牌:Vishay
類型:MOSFET
封裝:TSSOP-8
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值)�25mΩ @ VGS = 10V
ID(連續(xù)漏極電流):37A
VGS(th)(柵極閾值電壓)�2.2V ~ 4.0V
f(max)(最大工作頻率)�5MHz
功耗:2.3W
工作溫度范圍�-55°C ~ +150°C
SI3911DV-T1 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (RDS(on)) 可以減少功率損�,從而提升系�(tǒng)效率�
2. 高電流承載能力(高達(dá) 37A�,使得該器件能夠勝任多種高功率應(yīng)用場(chǎng)景�
3. 快速開�(guān)速度(支持高�(dá) 5MHz 的工作頻率),使其在高頻電路中表�(xiàn)�(yōu)��
4. 寬泛的工作溫度范圍(-55°C � +150°C�,確保了其在極端�(huán)境下的可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛,滿足現(xiàn)代綠色制造需求�
6. 小巧� TSSOP-8 封裝不僅節(jié)� PCB 空間,還能提供良好的散熱性能�
SI3911DV-T1 被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中作為同步整流器或功率級(jí)開關(guān)元件�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高效功率開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如步�(jìn)電機(jī)或直流無刷電�(jī)控制��
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用作充放電路徑的控制開�(guān)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)切換與功率調(diào)節(jié)�
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換和保護(hù)功能�
SI3912DS-T1, SI4426DY-T1