SI3909DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它采用 TO-252 (DPAK) 封裝,適用于多種功率控制�(yīng)用。這款器件以其低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度而聞�,能夠在高頻條件下提供高效的性能表現(xiàn)�
該產(chǎn)品特別適合用于負(fù)載切�、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及電源管理等�(yīng)用場��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�3.8A
�(dǎo)通電阻:0.028Ω
總功耗:1.4W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝類型:TO-252 (DPAK)
輸入電容�1080pF
SI3909DV-T1-GE3 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型條件下為 0.028Ω,這可以顯著降低功率損耗并提高效率�
2. 高開�(guān)速度,使其非常適合高頻應(yīng)��
3. 工作溫度范圍寬廣,支持從 -55°C � +175°C 的極端環(huán)境,增強(qiáng)了其可靠��
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
5. 封裝�(shè)計緊湊,易于集成到各種電路板��
SI3909DV-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換和�(diào)節(jié)�
2. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器,用于便攜式�(shè)備或汽車電子系統(tǒng)�
3. 電機(jī)�(qū)動和控制電路,如步�(jìn)電機(jī)或無刷直流電�(jī)�
4. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 通信�(shè)備中的信號放大和功率管理模塊�
SI3909DS-T1-GE3
IRLZ44N
FDP5570
AON7202