日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI3909DV-T1-GE3

SI3909DV-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 16:24:36 查看 閱讀�10

SI3909DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它采用 TO-252 (DPAK) 封裝,適用于多種功率控制�(yīng)用。這款器件以其低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度而聞�,能夠在高頻條件下提供高效的性能表現(xiàn)�
  該產(chǎn)品特別適合用于負(fù)載切�、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及電源管理等�(yīng)用場��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�3.8A
  �(dǎo)通電阻:0.028Ω
  總功耗:1.4W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝類型:TO-252 (DPAK)
  輸入電容�1080pF

特�

SI3909DV-T1-GE3 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型條件下為 0.028Ω,這可以顯著降低功率損耗并提高效率�
  2. 高開�(guān)速度,使其非常適合高頻應(yīng)��
  3. 工作溫度范圍寬廣,支持從 -55°C � +175°C 的極端環(huán)境,增強(qiáng)了其可靠��
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
  5. 封裝�(shè)計緊湊,易于集成到各種電路板��

�(yīng)�

SI3909DV-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換和�(diào)節(jié)�
  2. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器,用于便攜式�(shè)備或汽車電子系統(tǒng)�
  3. 電機(jī)�(qū)動和控制電路,如步�(jìn)電機(jī)或無刷直流電�(jī)�
  4. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 通信�(shè)備中的信號放大和功率管理模塊�

替代型號

SI3909DS-T1-GE3
  IRLZ44N
  FDP5570
  AON7202

si3909dv-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si3909dv-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 � P 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫歐 @ 1.8A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)500mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs4nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)