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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI3900DV-T1-GE3

SI3900DV-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 21:53:35 查看 閱讀�7

SI3900DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 功率晶體�,采� TO-252 (DPAK) 封裝形式。該器件廣泛�(yīng)用于需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場景中,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池保護(hù)電路�。其�(yōu)異的電氣性能和緊湊的封裝�(shè)�(jì)使得它成為現(xiàn)代電力電子設(shè)�(jì)的理想選��
  SI3900DV-T1-GE3 的主要特�(diǎn)是其較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這有助于減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)的效��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�18A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V 下)
  柵極電荷�37nC(典型值)
  總電容:150pF(輸入電� Ciss 典型值)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  邏輯電平兼容性:支持

特�

SI3900DV-T1-GE3 提供了多種優(yōu)勢以滿足�(xiàn)代電力電子系�(tǒng)的需求:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效的功率傳輸,減少了能量損��
  2. 高額定電流能力使其適用于大功率應(yīng)��
  3. 支持邏輯電平�(qū)�(dòng),簡化了與數(shù)字控制電路的集成�
  4. 工作溫度范圍寬廣,適合各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)��
  5. 緊湊� DPAK 封裝節(jié)省了 PCB 空間,并具有良好的散熱性能�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于采購�

�(yīng)�

這款 MOSFET 主要用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流和主開關(guān)�
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離和功率控制�
  5. 便攜式設(shè)備中的電池管理和充電電路�
  6. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的電源管理模塊�

替代型號(hào)

SI3847DP-T1-GE3, IRFZ44N

si3900dv-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si3900dv-t1-ge3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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si3900dv-t1-ge3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI3900DV
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫歐 @ 2.4A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs4nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�830mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI3900DV-T1-GE3TR