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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI3867DV-T1-GE3

SI3867DV-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 17:23:17 查看 閱讀�15

SI3867DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合在高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用中使用。其封裝形式� Hot FET? PowerPAK? 8x8 封裝,能夠有效提高散熱性能�
  該型�(hào)的額定電壓為 30V,最大連續(xù)漏極電流可達(dá) 54A,非常適合需要高效功率轉(zhuǎn)換和低損耗的�(yīng)用場��

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�54A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.3mΩ(典型值,Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷(Qg)�95nC
  輸入電容(Ciss)�3120pF
  輸出電容(Coss)�280pF
  總熱�(θJA)�20°C/W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

SI3867DV-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可以顯著降低功率損��
  2. 高電流處理能�,最大支� 54A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開�(guān)性能,柵極電荷較低,有助于減少開�(guān)損��
  4. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)極端�(huán)境條��
  5. 采用 PowerPAK 8x8 封裝技�(shù),具備良好的散熱特性和緊湊的尺��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
  這些特點(diǎn)使得 SI3867DV-T1-GE3 成為高效功率管理的理想選�,尤其是在要求高性能和高可靠性的工業(yè)及消�(fèi)類電子領(lǐng)��

�(yīng)�

� MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS) 中的功率開關(guān)�
  2. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器模塊,例如降壓或升壓電路�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路中的功率級(jí)元件�
  4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS) 中的充放電路徑控��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)組件�
  由于其出色的電氣性能和機(jī)械設(shè)�(jì),SI3867DV-T1-GE3 在需要高效能和高�(wěn)定性的�(yīng)用中表現(xiàn)出色�

替代型號(hào)

SI3867DP, SI3868DP

si3867dv-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si3867dv-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C51 毫歐 @ 5.1A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)