SI3867DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合在高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用中使用。其封裝形式� Hot FET? PowerPAK? 8x8 封裝,能夠有效提高散熱性能�
該型�(hào)的額定電壓為 30V,最大連續(xù)漏極電流可達(dá) 54A,非常適合需要高效功率轉(zhuǎn)換和低損耗的�(yīng)用場��
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�54A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.3mΩ(典型值,Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷(Qg)�95nC
輸入電容(Ciss)�3120pF
輸出電容(Coss)�280pF
總熱�(θJA)�20°C/W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
SI3867DV-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可以顯著降低功率損��
2. 高電流處理能�,最大支� 54A 的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開�(guān)性能,柵極電荷較低,有助于減少開�(guān)損��
4. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)極端�(huán)境條��
5. 采用 PowerPAK 8x8 封裝技�(shù),具備良好的散熱特性和緊湊的尺��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
這些特點(diǎn)使得 SI3867DV-T1-GE3 成為高效功率管理的理想選�,尤其是在要求高性能和高可靠性的工業(yè)及消�(fèi)類電子領(lǐng)��
� MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS) 中的功率開關(guān)�
2. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器模塊,例如降壓或升壓電路�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路中的功率級(jí)元件�
4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS) 中的充放電路徑控��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)組件�
由于其出色的電氣性能和機(jī)械設(shè)�(jì),SI3867DV-T1-GE3 在需要高效能和高�(wěn)定性的�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
SI3867DP, SI3868DP