日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來(lái)到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI3853DV-T1-E3

SI3853DV-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 15:27:43 查看 閱讀�20

SI3853DV-T1-E3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于高頻開�(guān)�(yīng)�。該芯片廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)和電池供電設(shè)備等�(lǐng)��
  其封裝形式為 ThermOFET? 2x2 mm MLPQ 封裝,能夠有效提高散熱性能,同�(shí)節(jié)� PCB 空間�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�7.4A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�6.5mΩ
  柵極電荷�9nC
  輸入電容�1080pF
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

SI3853DV-T1-E3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低功耗并提升效率�
  2. 高速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
  3. 增強(qiáng)的熱性能,使器件在高功率密度�(shè)�(jì)中表�(xiàn)�(yōu)��
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  5. 小型化封裝設(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��
  6. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

該器件適用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整��
  2. 降壓或升壓型 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. 移動(dòng)�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  4. 工業(yè)及消�(fèi)類電子中的電�(jī)控制�
  5. 可攜式電子產(chǎn)品的電池管理電路�
  6. 高效節(jié)能的逆變器系�(tǒng)�

替代型號(hào)

SI3852DS, SI3849DP

si3853dv-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si3853dv-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI3853DV
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)二極管(隔離式)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫歐 @ 1.8A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)500mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs4nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�830mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI3853DV-T1-E3TR