SI3853DV-T1-E3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于高頻開�(guān)�(yīng)�。該芯片廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)和電池供電設(shè)備等�(lǐng)��
其封裝形式為 ThermOFET? 2x2 mm MLPQ 封裝,能夠有效提高散熱性能,同�(shí)節(jié)� PCB 空間�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�7.4A
�(dǎo)通電阻(典型值)�6.5mΩ
柵極電荷�9nC
輸入電容�1080pF
工作溫度范圍�-55� to +175�
SI3853DV-T1-E3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低功耗并提升效率�
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
3. 增強(qiáng)的熱性能,使器件在高功率密度�(shè)�(jì)中表�(xiàn)�(yōu)��
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��
6. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
該器件適用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整��
2. 降壓或升壓型 DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 移動(dòng)�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
4. 工業(yè)及消�(fèi)類電子中的電�(jī)控制�
5. 可攜式電子產(chǎn)品的電池管理電路�
6. 高效節(jié)能的逆變器系�(tǒng)�
SI3852DS, SI3849DP