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SI3586DV 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 11:03:02 查看 閱讀�21

SI3586DV 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,采用小型化� PowerPAK? 1212-8S 封裝。該器件具有低導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高能效的特�(diǎn),適用于高頻�(kāi)�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。由于其出色的電氣性能和緊湊的封裝�(shè)�(jì),SI3586DV 廣泛用于消費(fèi)電子、通信�(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域�
  這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)能夠滿足�(xiàn)代電源系�(tǒng)�(duì)高效節(jié)能和小體積的需�,同�(shí)在動(dòng)�(tài)�(kāi)�(guān)和靜�(tài)�(dǎo)通狀�(tài)下都表現(xiàn)出優(yōu)異的性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�9.7A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷�27nC
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝類型:PowerPAK? 1212-8S

特�

SI3586DV 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(3.5mΩ�,有助于降低功耗并提高效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,使其非常適合高頻應(yīng)用�
  3. 高額定電流(9.7A)和耐壓值(40V�,能夠應(yīng)�(duì)�(yán)苛的工作條件�
  4. 小型化封�,減� PCB 占用空間,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
  5. 寬廣的工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,確保在極端�(huán)境下的可靠運(yùn)��
  6. 低柵極電�,�(jìn)一步優(yōu)化了�(kāi)�(guān)性能和驅(qū)�(dòng)損��

�(yīng)�

SI3586DV 的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)元件�
  2. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流或主開(kāi)�(guān)管�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)組件�
  4. 筆記本電腦適配器和手�(jī)充電器等便攜式設(shè)備中的功率管理模��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)功能�
  6. LED 照明系統(tǒng)的驅(qū)�(dòng)電路�

替代型號(hào)

SI3482DP,
  SI3404DP,
  IRLR7846PBF

si3586dv推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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