SI3586DV 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,采用小型化� PowerPAK? 1212-8S 封裝。該器件具有低導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高能效的特�(diǎn),適用于高頻�(kāi)�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。由于其出色的電氣性能和緊湊的封裝�(shè)�(jì),SI3586DV 廣泛用于消費(fèi)電子、通信�(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域�
這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)能夠滿足�(xiàn)代電源系�(tǒng)�(duì)高效節(jié)能和小體積的需�,同�(shí)在動(dòng)�(tài)�(kāi)�(guān)和靜�(tài)�(dǎo)通狀�(tài)下都表現(xiàn)出優(yōu)異的性能�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�9.7A
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�27nC
�(kāi)�(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝類型:PowerPAK? 1212-8S
SI3586DV 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(3.5mΩ�,有助于降低功耗并提高效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,使其非常適合高頻應(yīng)用�
3. 高額定電流(9.7A)和耐壓值(40V�,能夠應(yīng)�(duì)�(yán)苛的工作條件�
4. 小型化封�,減� PCB 占用空間,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
5. 寬廣的工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,確保在極端�(huán)境下的可靠運(yùn)��
6. 低柵極電�,�(jìn)一步優(yōu)化了�(kāi)�(guān)性能和驅(qū)�(dòng)損��
SI3586DV 的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)元件�
2. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流或主開(kāi)�(guān)管�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)組件�
4. 筆記本電腦適配器和手�(jī)充電器等便攜式設(shè)備中的功率管理模��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)功能�
6. LED 照明系統(tǒng)的驅(qū)�(dòng)電路�
SI3482DP,
SI3404DP,
IRLR7846PBF