時間：2025/6/9 18:40:32
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SI3483DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強型 MOSFET 功率晶體管。該器件采用 TrenchFET Gen III 技術(shù)制造，旨在提供低導(dǎo)通電阻和高效率，適用于多種開關(guān)應(yīng)用。
這種功率 MOSFET 的設(shè)計目標是減少導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，同時保持良好的熱性能和可靠性。它通常用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)、電機驅(qū)動以及電源管理等應(yīng)用中。
型號：SI3483DV-T1-GE3
封裝：TO-252 (DPAK)
VDS（漏源電壓）：60V
RDS(on)（導(dǎo)通電阻，典型值）：9.5mΩ @ VGS=10V
ID（連續(xù)漏極電流）：41A
Qg（柵極電荷）：16nC
fT（特征頻率）：3.1MHz
VGSS（最大柵源電壓）：±20V
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
SI3483DV-T1-GE3 具有以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 優(yōu)化的柵極電荷（Qg）設(shè)計，有助于在高頻操作下降低開關(guān)損耗。
3. 高額定電流能力，允許在較高負載條件下使用。
4. 熱增強型封裝，支持高效的散熱管理。
5. 寬工作溫度范圍，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境條件。
6. 符合 RoHS 標準，并且具有優(yōu)越的可靠性和耐用性。
這些特點使 SI3483DV-T1-GE3 成為高性能功率轉(zhuǎn)換和負載控制的理想選擇。
這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于需要高效功率切換的場合，具體包括：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的同步整流。
2. 降壓和升壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
3. 電池供電設(shè)備中的負載開關(guān)。
4. 電機驅(qū)動電路，例如步進電機或無刷直流電機控制。
5. 各種工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)。
由于其高效率和穩(wěn)定性，SI3483DV-T1-GE3 在汽車電子、通信設(shè)備及家用電器領(lǐng)域也備受青睞。
SI3484DS, IRF6652ZPBF
