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SI3477DV-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 12:20:17 查看 閱讀�25

SI3477DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高開關(guān)速度的特�(diǎn),適用于需要高效能和低損耗的電路�(yīng)�。其封裝形式� TSOP280-3 封裝,適合表面貼裝工�,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制及通信�(shè)備等�(lǐng)域�
  由于其出色的電氣性能和可靠�,這款 MOSFET 在多種功率轉(zhuǎn)換場合表�(xiàn)出色,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電池管理以及電�(jī)�(qū)�(dòng)��

參數(shù)

型號:SI3477DV-T1-GE3
  Vgs(th)(柵極閾值電壓)�1.5V � 3.5V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型�,Vgs=4.5V �(shí)):2.9mΩ
  最大漏源電� Vds�30V
  最大連續(xù)漏極電流 Id�106A
  總功� Ptot�25W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝類型:TSOP280-3

特�

SI3477DV-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可減少功率損耗并提高效率�
  2. 高電流處理能�,使其能夠勝任大功率�(yīng)用場��
  3. 寬工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境條件下也能�(wěn)定運(yùn)��
  4. 緊湊� TSOP280-3 封裝�(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間且易于集成�
  5. 快速開�(guān)速度,有助于降低開關(guān)損耗并提升�(dòng)�(tài)響應(yīng)性能�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

�(yīng)�

該器件適用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流功��
  2. 便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和電池保�(hù)�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的電機(jī)�(qū)�(dòng)和電磁閥控制�
  4. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信號切換和功率管理�
  5. LED 照明系統(tǒng)的調(diào)光與�(qū)�(dòng)�
  6. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS��

si3477dv-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

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si3477dv-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C17.5 毫歐 @ 9A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs90nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2600pF @ 6V
  • 功率 - 最�4.2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI3477DV-T1-GE3TR