SI3477DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高開關(guān)速度的特�(diǎn),適用于需要高效能和低損耗的電路�(yīng)�。其封裝形式� TSOP280-3 封裝,適合表面貼裝工�,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制及通信�(shè)備等�(lǐng)域�
由于其出色的電氣性能和可靠�,這款 MOSFET 在多種功率轉(zhuǎn)換場合表�(xiàn)出色,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電池管理以及電�(jī)�(qū)�(dòng)��
型號:SI3477DV-T1-GE3
Vgs(th)(柵極閾值電壓)�1.5V � 3.5V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型�,Vgs=4.5V �(shí)):2.9mΩ
最大漏源電� Vds�30V
最大連續(xù)漏極電流 Id�106A
總功� Ptot�25W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝類型:TSOP280-3
SI3477DV-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可減少功率損耗并提高效率�
2. 高電流處理能�,使其能夠勝任大功率�(yīng)用場��
3. 寬工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境條件下也能�(wěn)定運(yùn)��
4. 緊湊� TSOP280-3 封裝�(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間且易于集成�
5. 快速開�(guān)速度,有助于降低開關(guān)損耗并提升�(dòng)�(tài)響應(yīng)性能�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
該器件適用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流功��
2. 便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和電池保�(hù)�
3. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的電機(jī)�(qū)�(dòng)和電磁閥控制�
4. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信號切換和功率管理�
5. LED 照明系統(tǒng)的調(diào)光與�(qū)�(dòng)�
6. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS��