SI3457DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)型硅 carbide(碳化硅)MOSFET。該器件具有高效�、低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)�。其采用 TO-263-7 封裝形式,適用于工業(yè)和汽�(chē)�(lǐng)域的電源�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�9A
�(dǎo)通電阻:38mΩ
柵極電荷�90nC
總電容:620pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
SI3457DV-T1-GE3 使用碳化硅技�(shù)制造,具備以下特點(diǎn)�
1. 高擊穿電�,能夠承受高�(dá) 650V 的漏源電壓�
2. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 38mΩ,在高電流條件下提供高效性能�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,得益于較低的柵極電荷和輸出電荷,非常適合高頻應(yīng)用�
4. 工作溫度范圍寬廣,能夠在 -55°C � +175°C 的環(huán)境中�(wěn)定運(yùn)行�
5. 可靠性高,特別適合惡劣環(huán)境下的電力電子設(shè)備使��
6. �(yōu)異的熱性能和電氣性能使其成為功率�(zhuǎn)換和逆變器設(shè)�(jì)的理想選擇�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�,如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 太陽(yáng)能逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率�(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制�
4. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合�(dòng)力汽�(chē)(HEV)中的車(chē)載充電器� DC/DC �(zhuǎn)換器�
5. PFC(功率因�(shù)校正)電路和其他需要高效開(kāi)�(guān)的應(yīng)用�
SI3457DP, SI3458DP