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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI3457DV-T1-GE3

SI3457DV-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 14:22:27 查看 閱讀�18

SI3457DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)型硅 carbide(碳化硅)MOSFET。該器件具有高效�、低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)�。其采用 TO-263-7 封裝形式,適用于工業(yè)和汽�(chē)�(lǐng)域的電源�(zhuǎn)換系�(tǒng)�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�9A
  �(dǎo)通電阻:38mΩ
  柵極電荷�90nC
  總電容:620pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

SI3457DV-T1-GE3 使用碳化硅技�(shù)制造,具備以下特點(diǎn)�
  1. 高擊穿電�,能夠承受高�(dá) 650V 的漏源電壓�
  2. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 38mΩ,在高電流條件下提供高效性能�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,得益于較低的柵極電荷和輸出電荷,非常適合高頻應(yīng)用�
  4. 工作溫度范圍寬廣,能夠在 -55°C � +175°C 的環(huán)境中�(wěn)定運(yùn)行�
  5. 可靠性高,特別適合惡劣環(huán)境下的電力電子設(shè)備使��
  6. �(yōu)異的熱性能和電氣性能使其成為功率�(zhuǎn)換和逆變器設(shè)�(jì)的理想選擇�

�(yīng)�

這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�,如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 太陽(yáng)能逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率�(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制�
  4. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合�(dòng)力汽�(chē)(HEV)中的車(chē)載充電器� DC/DC �(zhuǎn)換器�
  5. PFC(功率因�(shù)校正)電路和其他需要高效開(kāi)�(guān)的應(yīng)用�

替代型號(hào)

SI3457DP, SI3458DP

si3457dv-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)