時間：2025/5/22 0:44:34
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SI3456CDV-T1-GE3 是一款由 Vishay Siliconix 生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 功率晶體管。該器件采用 TrenchFET Gen III 技術(shù)制造，具有極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)秀的開關(guān)性能，適用于高頻和高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
其封裝形式為 Hot FET? 封裝（TSSOP），能夠有效提高散熱性能和電氣連接可靠性，同時支持表面貼裝工藝，便于自動化生產(chǎn)。這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點 (POL) 轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、LED 驅(qū)動以及電池供電設(shè)備等領(lǐng)域。
型號：SI3456CDV-T1-GE3
類型：N 溝道 MOSFET
VDS（漏源極擊穿電壓）：30 V
RDS(on)（導(dǎo)通電阻，典型值 @ 4.5V）：2.7 mΩ
RDS(on)（導(dǎo)通電阻，典型值 @ 10V）：2.2 mΩ
ID（連續(xù)漏極電流）：89 A
Qg（總柵極電荷）：31 nC
EAS（雪崩能量）：0.27 J
封裝：TSSOP（Hot FET?）
1. 極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on)，確保了更低的傳導(dǎo)損耗，提高了整體系統(tǒng)效率。
2. 出色的開關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用場合，例如硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
3. 使用 Vishay 的 TrenchFET Gen III 技術(shù)，實現(xiàn)了更高的單位面積電流承載能力。
4. 熱增強(qiáng)型封裝設(shè)計，有助于更好地管理器件在高功率運行時的溫度。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合全球范圍內(nèi)的電子設(shè)備使用。
6. 支持大電流操作，適用于高功率密度的設(shè)計需求。
7. 提供良好的雪崩耐用性，增強(qiáng)了系統(tǒng)的魯棒性和可靠性。
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的同步整流應(yīng)用。
2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率開關(guān)元件。
3. 負(fù)載點 (POL) 轉(zhuǎn)換器中的高效功率傳輸。
4. 工業(yè)與消費類電機(jī)驅(qū)動電路。
5. LED 照明驅(qū)動器中的恒流控制。
6. 電池管理系統(tǒng)中的充放電路徑控制。
7. 各種需要高性能 MOSFET 的場景，如 UPS 和通信電源等。
SI3457CDV-T1-GE3
IRL3803PBF
AO3400A
