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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI3443DDV-T1-GE3

SI3443DDV-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 14:11:07 查看 閱讀�36

SI3443DDV 是一款由 Silicon Labs 提供的高集成�、低功耗的同步整流降壓直流-直流�(zhuǎn)換器。該器件能夠提供高達(dá) 3A 的連續(xù)輸出電流,具有較寬的輸入電壓范圍 (2.7V � 5.5V),適用于電池供電�(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品的電源管理�
  其內(nèi)部集成了 MOSFET �(kāi)�(guān),并通過(guò)恒定�(dǎo)通時(shí)間控制模式實(shí)�(xiàn)快速瞬�(tài)響應(yīng)和高效率。此外,該芯片支持可編程�(kāi)�(guān)頻率以及多種保護(hù)功能,如�(guò)流保�(hù)、短路保�(hù)和過(guò)溫保�(hù)�

參數(shù)

輸入電壓范圍�2.7V � 5.5V
  輸出電流�3A
  工作頻率�1MHz � 2.2MHz(可�(diào)�
  效率:高�(dá) 95%
  封裝形式:TSSOP-16
  待機(jī)電流�1uA(典型值)
  啟動(dòng)電流�20uA(最大值)
  工作溫度范圍�-40� � +125�

特�

SI3443DDV 集成了高性能同步整流電路,無(wú)需外部�(bǔ)償元件即可穩(wěn)定運(yùn)��
  它采用恒定導(dǎo)通時(shí)間控制架�(gòu),確保了在不同負(fù)載條件下的快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)�
  �(nèi)置軟啟動(dòng)功能可有效減少浪涌電�,同�(shí)支持使能引腳以實(shí)�(xiàn)系統(tǒng)�(jí)電源管理�
  芯片的工作頻率可通過(guò)外部電阻�(jìn)行調(diào)整,便于�(yōu)化電磁干擾性能�
  具備全面的保�(hù)�(jī)制,包括逐周期限流保�(hù)、熱�(guān)斷以及打嗝模式短路保�(hù),提升了系統(tǒng)的可靠��

�(yīng)�

該芯片適用于各種便攜式消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效電源轉(zhuǎn)換任�(wù),例如智能手�(jī)和平板電腦的充電電路�
  此外,在物聯(lián)�(wǎng)�(shè)�、可穿戴�(chǎn)品以及工�(yè)控制�(lǐng)域中也廣泛使��
  由于其支持較寬的輸入電壓范圍和小尺寸封裝,非常適合對(duì)空間和功耗敏感的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

SI3442DDV-T1-GE3, SI3444DDV-T1-GE3

si3443ddv-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si3443ddv-t1-ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �3.42000剪切帶(CT�3,000 : �0.75127卷帶(TR�
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�20 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)4A(Ta��5.3A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�2.5V�4.5V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)47 毫歐 @ 4.5A�4.5V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)30 nC @ 8 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)970 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.7W(Ta��2.7W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�6-TSOP
  • 封裝/外殼SOT-23-6 �(xì)�,TSOT-23-6