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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI3433DV-T1-GE3

SI3433DV-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 13:03:38 查看 閱讀�8

SI3433DV-T1-GE3 是一款由 Silicon Laboratories(芯科實(shí)�(yàn)室)生產(chǎn)的高集成�、低功耗的同步降壓直流-直流�(zhuǎn)換器。該芯片主要�(yīng)用于需要高效電源管理的便攜式設(shè)備,如智能手�(jī)、平板電�、可穿戴�(shè)備以及其他電池供電的電子�(chǎn)��
  這款芯片采用了先�(jìn)� CMOS 工藝制�,具備快速瞬�(tài)響應(yīng)和高效率的特�(diǎn)。它能夠在寬輸入電壓范圍�(nèi)工作,并提供精確的輸出電壓調(diào)節(jié)。此�,SI3433DV-T1-GE3 �(nèi)置了功率 MOSFET,從而減少了外部元件�(shù)量并�(jiǎn)化了�(shè)�(jì)�

參數(shù)

輸入電壓范圍�2.7V � 5.5V
  輸出電壓范圍�0.8V � VIN
  最大輸出電流:3A
  �(kāi)�(guān)頻率�2.2MHz
  工作效率:高�(dá)96%
  待機(jī)電流�1uA
  啟動(dòng)�(shí)間:典型值為 300us
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝類型�3mm x 3mm QFN-16

特�

SI3433DV-T1-GE3 提供多種特性和功能,使其成為高效電源管理的理想選擇�
  1. 同步整流技�(shù):通過(guò)�(nèi)置上下橋 MOSFET �(shí)�(xiàn)高效率�
  2. 超低靜態(tài)電流:在輕載條件�,能夠自�(dòng)�(jìn)入省電模式以降低功耗�
  3. 快速瞬�(tài)響應(yīng):能夠迅速適�(yīng)�(fù)載變�,確保穩(wěn)定的輸出電壓�
  4. 可編程軟啟動(dòng):減少啟�(dòng)�(shí)的浪涌電�,保�(hù)系統(tǒng)免受沖擊�
  5. 熱關(guān)斷保�(hù):當(dāng)芯片溫度超過(guò)安全范圍�(shí),會(huì)自動(dòng)�(guān)閉以防止損壞�
  6. �(guò)流保�(hù):防止過(guò)大的電流�(duì)芯片及外圍電路造成損害�
  7. 小型封裝:采用緊湊型 QFN 封裝,節(jié)� PCB 空間�
  8. 寬輸入電壓范圍:支持從單節(jié)鋰離子電池到多節(jié)電池的應(yīng)用場(chǎng)��
  9. 輸出電壓精度:在整�(gè)�(fù)載和溫度范圍�(nèi)保持高精��

�(yīng)�

SI3433DV-T1-GE3 的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. 智能手機(jī)和平板電腦中的電源管��
  2. 可穿戴設(shè)�,例如智能手表和健身追蹤��
  3. 便攜式音頻設(shè)�,如�(lán)牙音箱和耳機(jī)�
  4. 物聯(lián)�(wǎng) (IoT) �(shè)備和其他低功耗嵌入式系統(tǒng)�
  5. �(wú)線通信模塊的電源供�(yīng)�
  6. �(yī)療電子設(shè)�,如便攜式健康監(jiān)�(cè)儀器�
  其高效的能量�(zhuǎn)換能力和小尺寸設(shè)�(jì)使其非常適合�(duì)空間和功耗敏感的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

SI3432DN-T1-GE3
  SI3434DV-T1-GM2

si3433dv-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)