SI32282-A-FMR 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 FMR(Fastest MOSFET Recovery)技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能,適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用。其封裝形式為 TO-263(DPAK),適合表面貼裝工藝,能夠有效提高電路效率并降低功耗。
該芯片的主要特點(diǎn)是具備極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),從而減少功率損耗,并且擁有較高的雪崩擊穿能力,能夠在異常條件下提供額外保護(hù)。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:15A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.7mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
柵極電荷:49nC(典型值)
輸入電容:1400pF
總功耗:70W
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-263 (DPAK)
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),有助于降低導(dǎo)通損耗,提升整體系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)速度和較低的柵極電荷,使其非常適合高頻應(yīng)用。
3. 高溫穩(wěn)定性,能在 -55℃ 至 +175℃ 的寬溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
4. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能,增強(qiáng)了器件的抗靜電能力。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
6. 高雪崩擊穿能力,可承受瞬時(shí)過(guò)壓情況下的能量沖擊,提高了系統(tǒng)的可靠性。
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高頻開(kāi)關(guān)元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率開(kāi)關(guān)。
4. 負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路中的關(guān)鍵組件。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)器件。
IRF3205, SI4479DY, FDP55N06L