SI3226-GQ 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,主要用于高頻開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整流和電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)� TrenchFET Gen III 技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻(Rds(on))和柵極電荷(Qg�,能夠顯著提高效率并減少功率損��
這款功率 MOSFET � SO-8 封裝形式提供,支持表面貼裝工藝,非常適合高密度設(shè)�(jì)。其出色的電氣性能使其成為眾多工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏電流:19A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
柵極電荷�27nC(典型值)
輸入電容�1350pF(典型值)
總電荷:45nC(典型值)
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝類型:SO-8
SI3226-GQ 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和柵極電� (Qg),從而降低了�(dǎo)通損耗和開關(guān)損��
2. 使用 Vishay � TrenchFET Gen III 技�(shù)制�,提升了整體性能�
3. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用�
4. 高雪崩擊穿能�,增�(qiáng)了可靠性�
5. 表面貼裝封裝,簡(jiǎn)化了 PCB �(shè)�(jì)與裝配過��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)��
7. 工作溫度范圍�,適�(yīng)各種�(huán)境條��
SI3226-GQ 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開�(guān)或同步整流元��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的功率�(jí)控制�
4. 各種工業(yè)�(shè)備中的功率管理模��
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換組��
SI3226-DP, SI3226-E3