SI3018-F-FSR 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型 MOSFET,主要用于功率管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制等應(yīng)用。該器件采用 SO-8 封裝形式,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,適用于高效能轉(zhuǎn)換需求的應(yīng)用場(chǎng)景。
此型號(hào)為 Vishay Siliconix 系列中的一員,憑借其高可靠性與卓越性能,在眾多電子設(shè)計(jì)中得到了廣泛應(yīng)用。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:24A
導(dǎo)通電阻(典型值):9mΩ
柵極-源極電壓(最大值):±20V
功耗:3.7W
工作溫度范圍:-55℃ 至 150℃
封裝類型:SO-8
SI3018-F-FSR 具有以下顯著特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在 Vgs=10V 時(shí)僅為 9mΩ,這有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)能力,支持高頻操作,適合現(xiàn)代電力電子應(yīng)用的需求。
3. 高雪崩擊穿能量和強(qiáng)固耐用性,增強(qiáng)了器件在嚴(yán)苛環(huán)境中的可靠性。
4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
5. 優(yōu)化的熱性能設(shè)計(jì),能夠有效散發(fā)熱量,從而提升整體運(yùn)行穩(wěn)定性。
這些特性使得 SI3018-F-FSR 成為許多高效能、緊湊型設(shè)計(jì)的理想選擇。
這款 MOSFET 的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流功能。
2. 電池供電設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)組件。
4. DC/DC 轉(zhuǎn)換器及逆變器的核心功率元件。
5. 各類保護(hù)電路,例如過(guò)流保護(hù)或短路保護(hù)。
由于其出色的性能指標(biāo),SI3018-F-FSR 廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備以及汽車電子系統(tǒng)等領(lǐng)域。
SI3018DS, IRF7832, FDP016N06L