SI2435-D-FTR 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù)制�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的效�,適用于高頻開關(guān)�(yīng)�。其封裝形式� FTR(Flatpack TO-263�,能夠提供出色的散熱性能�
這款 MOSFET 廣泛用于消費類電子產(chǎn)�、工�(yè)控制以及通信�(shè)備中的電源管理電�,如 DC/DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)動等場景�
型號:SI2435-D-FTR
類型:N溝道功率 MOSFET
Vds(漏源極擊穿電壓):50V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值@ Vgs=10V):18mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):27A
Vgs(柵源極電壓范圍):±20V
Qg(總柵極電荷):19nC
EAS(雪崩能量)�3.5mJ
封裝:FTR (TO-263)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
SI2435-D-FTR 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少�(dǎo)通損耗并提高整體效率�
2. 高效的熱性能�(shè)�,確保在高功率應(yīng)用中保持�(wěn)定運��
3. 支持高頻開關(guān)操作,適合現(xiàn)代電子設(shè)備對快速響�(yīng)的需��
4. 采用先進的 TrenchFET Gen III 技�(shù),優(yōu)化了電氣特性和物理�(jié)�(gòu)�
5. 提供卓越的抗雪崩能力,增強了器件的可靠性和耐用��
6. 寬泛的工作溫度范圍使得其能夠在各種惡劣環(huán)境下正常工作�
7. 小巧的封裝尺寸有利于節(jié)� PCB 空間,便于小型化�(shè)��
該芯片可�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器(DC/DC converters�
3. 同步整流電路
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 電機�(qū)動與控制
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切�
7. 電信及網(wǎng)�(luò)�(shè)備的電源管理模塊
8. 筆記本電腦和臺式機的供電解決方案
SI2436DS, IRF7822, AO3400