最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：4.2A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：5.5mΩ
　　柵極-源極開啟電壓：1.5V
　　總功耗：0.5W
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃
　　封裝類型：DFN2020-6 (SC-89D)
　　輸入電容：730pF

SI2377DS-T1-GE3 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，可有效降低功率損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. 邏輯電平兼容的柵極驅(qū)動(dòng)，支持低至 1.8V 的驅(qū)動(dòng)電壓，簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)并降低了功耗。
　　3. 快速開關(guān)速度，減少了開關(guān)損耗并提高了高頻應(yīng)用中的表現(xiàn)。
　　4. 微型封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省了 PCB 空間，特別適合移動(dòng)設(shè)備和其他緊湊型應(yīng)用。
　　5. 高雪崩能力和出色的熱穩(wěn)定性，確保器件在異常條件下也能可靠運(yùn)行。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適用于多種工業(yè)領(lǐng)域。

該 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
　　2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)穩(wěn)壓器中的功率開關(guān)。
　　3. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)開關(guān)。
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 LED 驅(qū)動(dòng)電路。
　　5. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊。
　　6. 數(shù)據(jù)通信設(shè)備中的信號(hào)切換和隔離功能。

SI2306DS, SI2307DS, BSS138