SI2365EDS-T1-GE3 是一款來� Vishay Siliconix � N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用微型� PowerPAK? 1212-8 封裝,適用于需要高效率和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)�。其超低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度使其成為便攜式設(shè)備、消�(fèi)電子及工�(yè)�(yīng)用中的理想選��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�9.7A
�(dǎo)通電阻(典型值)�3mΩ
柵極電荷�4nC
總電容:300pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
SI2365EDS-T1-GE3 提供了卓越的性能表現(xiàn),具有非常低的導(dǎo)通電�,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,該器件還具備快速開�(guān)能力,能夠顯著降低開�(guān)損耗�
其小型化� PowerPAK? 1212-8 封裝不僅節(jié)省了電路板空�,而且增強(qiáng)了散熱性能。同�(shí),由于采用了無引線封裝設(shè)�(jì),這種器件在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出更�(yōu)的電氣性能�
� MOSFET 還支持較高的雪崩能量,從而提高了系統(tǒng)的可靠性和魯棒性,特別適合用于要求�(yán)苛的工作�(huán)��
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、電池保�(hù)以及便攜式電子設(shè)備的電源管理方案�。它也非常適合用作同步整流器,在高效率開�(guān)模式電源中發(fā)揮重要作用�
另外,由于其低導(dǎo)通電阻和緊湊尺寸的特�(diǎn),SI2365EDS-T1-GE3 在多相供電系�(tǒng)、服�(wù)器和通信基礎(chǔ)�(shè)施等�(yīng)用領(lǐng)域同樣表�(xiàn)出色�
SI2364DS, SI2342DS