SI2351DS-T1是Vishay Siliconix公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用微型DFN2020-8封裝,具有低導通電阻和快速開關速度的特�,適用于各種電源管理和信號切換應用。它通常用于便攜式設�、計算機外設、消費類電子�(chǎn)品等領域的負載開�、DC-DC�(zhuǎn)換器和電池管理電路中�
由于其出色的性能和小型化設計,SI2351DS-T1非常適合需要高效率和小占板面積的應用場��
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏極電流�6.4A
導通電阻(Rds(on)):7.5mΩ
柵極電荷�10nC
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝類型:DFN2020-8
SI2351DS-T1的主要特點包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關速度,支持高頻操作,適合�(xiàn)代高效電源轉(zhuǎn)換需��
3. 小尺寸封裝(2mm x 2mm�,節(jié)省PCB空間,滿足緊湊型設計要求�
4. 支持較高的工作溫度范�,確保在惡劣�(huán)境下的可靠運行�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
SI2351DS-T1廣泛應用于以下領域:
1. 移動設備中的負載開關,例如智能手機和平板電腦�
2. 消費類電子產(chǎn)品的電源管理模塊,如筆記本電腦適配器和充電器�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流和功率級開關�
4. 電池供電系統(tǒng)的保護和管理電路�
5. 工業(yè)控制和通信設備中的信號切換和驅(qū)動功��
SI2302DS, SI2309DS, SI2311DS