SI2342DS 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體� (MOSFET),采� SO-8 封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用以及負(fù)載切換場(chǎng)��
其出色的電氣性能使其成為消費(fèi)電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備中的理想選��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�5.1A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):55mΩ(在 Vgs=10V �(shí)�
總功耗:1.1W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
SI2342DS 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻保證了高效能量�(zhuǎn)�,并減少了發(fā)熱問(wèn)題�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力支持高頻 PWM 控制,適用于 DC-DC �(zhuǎn)換器和電源管理電路�
3. 增強(qiáng)的熱�(wěn)定性使其能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)��
4. 小巧� SO-8 封裝節(jié)省了 PCB 空間,同�(shí)保持良好的散熱性能�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
3. 電池保護(hù)和負(fù)載切換�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)自動(dòng)化控��
5. 便攜式電子產(chǎn)品中的功率管理模塊�
SI2302DS, IRFZ44N, FDP5570