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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI2338DS-T1-GE3

SI2338DS-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/19 10:08:47 查看 閱讀�22

SI2338DS-T1-GE3 是一款來� Vishay � N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種電源管理�(yīng)用,� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)��
  該器件封裝為小尺寸的 ThinPAK 3x3-8L,具備出色的熱性能和電氣性能,適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�9.7A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�14nC
  總電容(Ciss):1190pF
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝類型:ThinPAK 3x3-8L

特�

SI2338DS-T1-GE3 基于 Vishay 的第三代 TrenchFET 技�(shù),具有非常低的導(dǎo)通電�,從而減少了傳導(dǎo)損耗并提高了效率。其高開�(guān)速度有助于降低開�(guān)損�,并且能夠支持高頻操作。此�,該器件的小型化封裝�(shè)�(jì)使得其非常適合便攜式�(shè)備和需要緊湊布局的應(yīng)用場(chǎng)��
  由于采用了先�(jìn)的工藝技�(shù),該 MOSFET 在高溫下的穩(wěn)定性也非常出色,能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)�。同�(shí),其低柵極電荷設(shè)�(jì)�(jìn)一步優(yōu)化了開關(guān)性能,使其成為高效電源轉(zhuǎn)換的理想選擇�

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備領(lǐng)�。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
  - 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)和保�(hù)電路
  - 各類便攜式電子產(chǎn)品中的電源管理模�
  憑借其卓越的性能,SI2338DS-T1-GE3 成為了眾多工程師�(shè)�(jì)高效能系�(tǒng)的重要選��

替代型號(hào)

SI2337DS, SI2341DS, IRF7846TRPBF

si2338ds-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si2338ds-t1-ge3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓30 V
  • �/源擊穿電�20 V
  • 漏極連續(xù)電流6 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)0.023 Ohms
  • 配置Single
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOT-23
  • 封裝Reel
  • 下降�(shí)�7 ns
  • 正向跨導(dǎo) gFS(最大�/最小值)24 S
  • 柵極電荷 Qg8.2 nC
  • 功率耗散2.5 Watts
  • 上升�(shí)�11 ns
  • 典型�(guān)閉延遲時(shí)�20 ns
  • 零件�(hào)別名SI2338DS-GE3