SI2338DS-T1-GE3 是一款來� Vishay � N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種電源管理�(yīng)用,� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)��
該器件封裝為小尺寸的 ThinPAK 3x3-8L,具備出色的熱性能和電氣性能,適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�9.7A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(在 Vgs=10V �(shí)�
柵極電荷�14nC
總電容(Ciss):1190pF
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝類型:ThinPAK 3x3-8L
SI2338DS-T1-GE3 基于 Vishay 的第三代 TrenchFET 技�(shù),具有非常低的導(dǎo)通電�,從而減少了傳導(dǎo)損耗并提高了效率。其高開�(guān)速度有助于降低開�(guān)損�,并且能夠支持高頻操作。此�,該器件的小型化封裝�(shè)�(jì)使得其非常適合便攜式�(shè)備和需要緊湊布局的應(yīng)用場(chǎng)��
由于采用了先�(jìn)的工藝技�(shù),該 MOSFET 在高溫下的穩(wěn)定性也非常出色,能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)�。同�(shí),其低柵極電荷設(shè)�(jì)�(jìn)一步優(yōu)化了開關(guān)性能,使其成為高效電源轉(zhuǎn)換的理想選擇�
該器件廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備領(lǐng)�。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
- 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整�
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)和保�(hù)電路
- 各類便攜式電子產(chǎn)品中的電源管理模�
憑借其卓越的性能,SI2338DS-T1-GE3 成為了眾多工程師�(shè)�(jì)高效能系�(tǒng)的重要選��
SI2337DS, SI2341DS, IRF7846TRPBF