SI2323DDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用小型� DSOF-5 封裝,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于各種高效能開�(guān)�(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機控制和電池供電�(shè)備等。其出色的性能使其成為便攜式電子產(chǎn)品和電源管理�(yīng)用的理想選擇�
型號:SI2323DDS-T1-GE3
封裝:DSOF-5
漏源電壓 (Vds)�30 V
柵極源極電壓 (Vgs):�20 V
連續(xù)漏極電流 (Id)�3.9 A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�75 mΩ(在 Vgs=4.5V 時)
總功耗:610 mW
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
SI2323DDS-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效降低傳導(dǎo)損耗�
2. 快速開�(guān)速度,有助于提高系統(tǒng)效率并減少開�(guān)損��
3. 小尺� DSOF-5 封裝,節(jié)� PCB 空間�
4. 支持高頻率操�,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
5. 高可靠性和長使用壽�,適合多種工�(yè)及消費類電子�(yīng)��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代設(shè)計中�
7. 在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的性能�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 手機和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負載開�(guān)�
3. LED �(qū)動電路和背光控制�
4. 各種電池供電�(shè)備中的保護和切換功能�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離與�(qū)��
6. 電機控制和繼電器�(qū)動應(yīng)��
7. 通信�(shè)備中的射頻前端模塊和功率放大器切換�
SI2302DS, SI2306DS, SI2318DS