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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI2323DDS-T1-GE3

SI2323DDS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 12:30:42 查看 閱讀�20

SI2323DDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用小型� DSOF-5 封裝,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于各種高效能開�(guān)�(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機控制和電池供電�(shè)備等。其出色的性能使其成為便攜式電子產(chǎn)品和電源管理�(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

型號:SI2323DDS-T1-GE3
  封裝:DSOF-5
  漏源電壓 (Vds)�30 V
  柵極源極電壓 (Vgs):�20 V
  連續(xù)漏極電流 (Id)�3.9 A
  �(dǎo)通電� (Rds(on))�75 mΩ(在 Vgs=4.5V 時)
  總功耗:610 mW
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

SI2323DDS-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效降低傳導(dǎo)損耗�
  2. 快速開�(guān)速度,有助于提高系統(tǒng)效率并減少開�(guān)損��
  3. 小尺� DSOF-5 封裝,節(jié)� PCB 空間�
  4. 支持高頻率操�,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
  5. 高可靠性和長使用壽�,適合多種工�(yè)及消費類電子�(yīng)��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代設(shè)計中�
  7. 在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的性能�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 手機和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負載開�(guān)�
  3. LED �(qū)動電路和背光控制�
  4. 各種電池供電�(shè)備中的保護和切換功能�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離與�(qū)��
  6. 電機控制和繼電器�(qū)動應(yīng)��
  7. 通信�(shè)備中的射頻前端模塊和功率放大器切換�

替代型號

SI2302DS, SI2306DS, SI2318DS

si2323dds-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si2323dds-t1-ge3資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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si2323dds-t1-ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1�(xiàn)�
  • 價格1 : �4.69000剪切帶(CT�3,000 : �1.65096卷帶(TR�
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�20 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)5.3A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�1.8V�4.5V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)39 毫歐 @ 4.1A�4.5V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)36 nC @ 8 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)1160 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)960mW(Ta��1.7W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-23
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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