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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI2318CDS-T1-BE3

SI2318CDS-T1-BE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 9:45:54 查看 閱讀�32

SI2318CDS是一款由Vishay生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體管。該器件采用小型化的SOT-23封裝形式,廣泛應(yīng)用于需要高效率和低功耗的便攜式電子設(shè)備中。其�(shè)�(jì)旨在提供較低的導(dǎo)通電阻以提高系統(tǒng)性能,并具備出色的開�(guān)特��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�0.65A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1Ω(典型�,在Vgs=4.5V�(shí)�
  柵極閾值電壓:1.5V~2.5V
  總功耗:370mW
  工作�(jié)溫范圍:-55℃~150�

特�

SI2318CDS具有非常低的�(dǎo)通電阻,這使其在功率�(zhuǎn)換應(yīng)用中能夠減少傳導(dǎo)損�,從而提升效率�
  此外,它支持快速開�(guān)操作并具備較低的輸入電容,有助于降低開關(guān)損耗�
  其小型SOT-23封裝非常適合空間受限的設(shè)�(jì)�(huán)�,例如手�(jī)、平板電腦和其他便攜式電子產(chǎn)��
  由于采用� Vishay 的先�(jìn)制造工藝,該器件還具備卓越的熱�(wěn)定性和可靠�,適合長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的�(yīng)用場(chǎng)景�

�(yīng)�

該MOSFET主要適用于各種低功率開關(guān)�(yīng)�,包括負(fù)載開�(guān)、DC/DC�(zhuǎn)換器、電池管理電路以及便攜式電子�(shè)備中的電源管理模塊�
  其小型化和高效能特點(diǎn)使其成為移動(dòng)通信�(shè)備的理想選擇,例如智能手�(jī)、藍(lán)牙耳機(jī)和可穿戴�(shè)備�
  此外,它也可以用于USB接口保護(hù)、電�(jī)�(qū)�(dòng)控制以及其他需要精確電流控制的�(chǎng)��

替代型號(hào)

SI2306DS, SI2308DS, BSS138

si2318cds-t1-be3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si2318cds-t1-be3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�854�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �3.90000剪切帶(CT�3,000 : �0.86847卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�40 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)4.3A(Ta��5.6A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)42 毫歐 @ 4.3A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)9 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)340 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.25W(Ta��2.1W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-23-3(TO-236�
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3