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時(shí)間：2025/5/28 11:30:16
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SI2312CDS 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用小型的 SOT-23 封裝，適用于各種需要高效開關(guān)和低功耗的應(yīng)用場景。其出色的 Rds(on) 特性和較低的柵極電荷使得它成為便攜式設(shè)備、負(fù)載開關(guān)以及同步整流應(yīng)用的理想選擇。
該型號(hào)中的后綴 -T1-GE3 表示 Vishay 的標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)級(jí)封裝和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，確保了高一致性和可靠性。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：2.4A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：95mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 下測(cè)量）
柵極電荷：7nC（典型值）
工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃
封裝類型：SOT-23
SI2312CDS 具有以下主要特性：
1. 高效的開關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用。
2. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，有助于減少功率損耗。
3. 小巧的 SOT-23 封裝節(jié)省了電路板空間，非常適合空間受限的設(shè)計(jì)。
4. 低柵極電荷設(shè)計(jì)，進(jìn)一步提升了開關(guān)效率。
5. 寬溫度范圍適應(yīng)性使其能夠在嚴(yán)苛環(huán)境下可靠運(yùn)行。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)要求。
這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 手機(jī)和其他便攜式設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
2. 同步整流電路。
3. 電池供電系統(tǒng)的保護(hù)電路。
4. DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
5. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的信號(hào)切換與功率管理。
由于其高效的特性和緊湊的封裝形式，SI2312CDS 成為許多小尺寸、高性能設(shè)計(jì)的首選器件。
SI2301DS, BSS138
