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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI2312B-TP

SI2312B-TP 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 9:32:27 查看 閱讀�36

SI2312B-TP是Vishay Siliconix推出的一款N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用小型化的PowerPAK? 1212-8封裝,具有低�(dǎo)通電阻(Rds(on))和快速開�(guān)速度的特�,適合用于各種功率管理應(yīng)�,例如DC/DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、同步整流器等。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了性能與空間利用率,在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出�

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵極源極電�(Vgs):�8V
  連續(xù)漏極電流(Id)�4.7A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�9mΩ @ Vgs=4.5V
  總柵極電�(Qg)�6nC
  輸入電容(Ciss)�130pF
  工作溫度范圍(Top)�-55°C to +150°C

特�

SI2312B-TP具備超低�(dǎo)通電阻,能夠顯著減少傳導(dǎo)損�,提高效率�
  它支持高�(dá)4.7A的連續(xù)漏極電流,并且擁有快速的開關(guān)速度,從而適�(yīng)高頻�(yīng)用需��
  該器件的封裝尺寸小巧,適合空間受限的�(shè)�(jì)�(chǎng)��
  此外,其邏輯電平�(qū)�(dòng)特性允許直接由常見的數(shù)字信�(hào)控制器�(jìn)行控�,無(wú)需額外的驅(qū)�(dòng)電路�
  Vishay Siliconix的制造工藝確保了該產(chǎn)品的�(wěn)定性和可靠��

�(yīng)�

SI2312B-TP適用于多種功率電子領(lǐng)域,包括但不限于以下�(yīng)用:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)��
  2. 筆記本電腦及平板電腦中的�(fù)載開�(guān)�
  3. 工業(yè)�(shè)備內(nèi)的同步整流電��
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電池管理模��
  5. 電信系統(tǒng)中的高效DC/DC�(zhuǎn)換器�

替代型號(hào)

SI2308DP, SI2309DP

si2312b-tp推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si2312b-tp參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�2,422�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �2.94000剪切帶(CT�3,000 : �0.82639卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�20 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)6.8A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�2.5V�4.5V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)21毫歐 @ 4.5A�4.5V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)15 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)500 pF @ 8 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.25W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-23
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3