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SI2308DS-T1 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 15:27:08 查看 閱讀�25

SI2308DS-T1是Vishay公司生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET功率晶體�。該器件采用小型化的DFN5060-12封裝,具有極低的導通電阻(Rds(on)�,非常適合用于開�(guān)電源、負載開�(guān)、電機驅(qū)動和DC/DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用。由于其卓越的性能和緊湊的尺寸,這款MOSFET廣泛�(yīng)用于消費類電子產(chǎn)品、通信�(shè)備及工業(yè)控制系統(tǒng)��
  該器件的工作電壓范圍�30V,并且能夠在高頻開關(guān)條件下提供高效率和良好的散熱表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�9.7A
  導通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷�4.9nC
  輸入電容�590pF
  工作溫度范圍�-55� to +150�
  封裝形式:DFN5060-12

特�

SI2308DS-T1采用了先進的制造工�,具備以下顯著特性:
  1. 極低的導通電阻(典型值為3.5mΩ),能夠降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 小巧的DFN5060-12封裝�(shè)�,有助于節(jié)省PCB空間�
  3. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  4. 良好的熱�(wěn)定�,在較寬的工作溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)出色�
  5. 提供�(yōu)秀的ESD保護功能,增強了器件的可靠��
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保無��

�(yīng)�

SI2308DS-T1適用于多種電力電子應(yīng)用場�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源中的同步整流電路�
  2. DC/DC�(zhuǎn)換器的核心功率級元件�
  3. 負載開關(guān)用于便攜式設(shè)備如智能手機和平板電��
  4. 電機�(qū)動控制電�,特別是在小功率直流電機�(lǐng)��
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切換與功率傳輸�
  6. 充電�、適配器以及其他消費類電子產(chǎn)品的功率管理模塊�

替代型號

SI2305DS-T1
  SI2306DS-T1
  SI2307DS-T1

si2308ds-t1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
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si2308ds-t1資料 更多>

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si2308ds-t1參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓60 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流2 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)0.16 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝風格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOT-23-3
  • 封裝Reel
  • 下降時間10 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散1.25 W
  • 上升時間10 ns
  • 工廠包裝�(shù)�3000
  • 典型�(guān)閉延遲時�17 ns