SI2308DS-T1是Vishay公司生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET功率晶體�。該器件采用小型化的DFN5060-12封裝,具有極低的導通電阻(Rds(on)�,非常適合用于開�(guān)電源、負載開�(guān)、電機驅(qū)動和DC/DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用。由于其卓越的性能和緊湊的尺寸,這款MOSFET廣泛�(yīng)用于消費類電子產(chǎn)品、通信�(shè)備及工業(yè)控制系統(tǒng)��
該器件的工作電壓范圍�30V,并且能夠在高頻開關(guān)條件下提供高效率和良好的散熱表現(xiàn)�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�9.7A
導通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�4.9nC
輸入電容�590pF
工作溫度范圍�-55� to +150�
封裝形式:DFN5060-12
SI2308DS-T1采用了先進的制造工�,具備以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(典型值為3.5mΩ),能夠降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 小巧的DFN5060-12封裝�(shè)�,有助于節(jié)省PCB空間�
3. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
4. 良好的熱�(wěn)定�,在較寬的工作溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)出色�
5. 提供�(yōu)秀的ESD保護功能,增強了器件的可靠��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無��
SI2308DS-T1適用于多種電力電子應(yīng)用場�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源中的同步整流電路�
2. DC/DC�(zhuǎn)換器的核心功率級元件�
3. 負載開關(guān)用于便攜式設(shè)備如智能手機和平板電��
4. 電機�(qū)動控制電�,特別是在小功率直流電機�(lǐng)��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切換與功率傳輸�
6. 充電�、適配器以及其他消費類電子產(chǎn)品的功率管理模塊�
SI2305DS-T1
SI2306DS-T1
SI2307DS-T1