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SI2308DS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/27 16:17:53 查看 閱讀�15

SI2308DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET,采用小尺寸� PowerPAK? 1212-8S 封裝。該器件主要�(shè)計用于高頻和高效率應(yīng)用場�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)以及同步整流電路�。其低導(dǎo)通電阻(Rds(on))特性能夠顯著降低功率損�,提高整體系�(tǒng)的效��
  此外,由于其具備較低的柵極電荷(Qg�,使得該 MOSFET 非常適合高頻工作�(huán)境�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�5.4A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
  柵極電荷�7nC(典型值)
  總電容:135pF(典型�,Vds=15V,f=1MHz�
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 較低的柵極電荷支持高頻開�(guān)操作,適用于高速轉(zhuǎn)換應(yīng)��
  3. 小型化封� PowerPAK? 1212-8S 提供了出色的散熱性能,并且節(jié)省了 PCB 空間�
  4. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)各種嚴苛的工作環(huán)境�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設(shè)計�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
  2. 便攜式電子設(shè)備的負載開關(guān)控制�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高效功率開關(guān)�
  4. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
  5. 各類電池供電�(chǎn)品的電源管理單元�

替代型號

SI2306DS-T1-GE3
  SI2307DS-T1-GE3
  SI2309DS-T1-GE3

si2308ds-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si2308ds-t1-ge3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓60 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流2 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)0.16 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOT-23-3
  • 封裝Reel
  • 下降時間10 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散1.25 W
  • 上升時間10 ns
  • 工廠包裝�(shù)�3000
  • 典型�(guān)閉延遲時�17 ns
  • 零件號別�SI2308DS-GE3