SI2308DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET,采用小尺寸� PowerPAK? 1212-8S 封裝。該器件主要�(shè)計用于高頻和高效率應(yīng)用場�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)以及同步整流電路�。其低導(dǎo)通電阻(Rds(on))特性能夠顯著降低功率損�,提高整體系�(tǒng)的效��
此外,由于其具備較低的柵極電荷(Qg�,使得該 MOSFET 非常適合高頻工作�(huán)境�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�5.4A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
柵極電荷�7nC(典型值)
總電容:135pF(典型�,Vds=15V,f=1MHz�
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 較低的柵極電荷支持高頻開�(guān)操作,適用于高速轉(zhuǎn)換應(yīng)��
3. 小型化封� PowerPAK? 1212-8S 提供了出色的散熱性能,并且節(jié)省了 PCB 空間�
4. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)各種嚴苛的工作環(huán)境�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設(shè)計�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
2. 便攜式電子設(shè)備的負載開關(guān)控制�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高效功率開關(guān)�
4. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
5. 各類電池供電�(chǎn)品的電源管理單元�
SI2306DS-T1-GE3
SI2307DS-T1-GE3
SI2309DS-T1-GE3