SI2308BDS-T1-GE3是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用了TrenchFET? Gen III技�(shù),旨在提供低�(dǎo)通電阻和高效率性能。這種MOSFET通常用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及開關(guān)模式電源等應(yīng)用領(lǐng)域�
SI2308BDS-T1-GE3具有出色的開�(guān)特性和較低的柵極電�,使其非常適合高頻開�(guān)�(yīng)�。其封裝形式為SOT-23,是一種小型表面貼裝封�,適合空間受限的�(shè)�(jì)�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�3.5A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):75mΩ(典型�,Vgs=4.5V�(shí)�
柵極電荷�3.8nC(典型值)
總電容(Ciss):165pF(典型值)
工作溫度范圍�-55°C�+150°C
封裝:SOT-23
1. 使用TrenchFET? Gen III技�(shù)�(shí)�(xiàn)低導(dǎo)通電��
2. 高效開關(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用�
3. 小型SOT-23封裝,節(jié)省PCB空間�
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì)�
5. 寬工作溫度范圍,適應(yīng)多種�(huán)境條件�
6. 低柵極電荷和快速開�(guān)能力,降低開�(guān)損耗�
7. 可靠性高,適合工�(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)��
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)開關(guān)�
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理�
6. 工業(yè)控制系統(tǒng)的功率切��
7. 便攜式設(shè)備中的高效電源管理方��
SI2306DS, SI2309DS, BSS138