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SI2307DS 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 4:13:15 查看 閱讀�8

SI2307DS 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用 SO-8 封裝,適用于需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�。它廣泛用于電源管理、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及 DC-DC �(zhuǎn)換等電路��
  SI2307DS 的主要特�(diǎn)是其較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力,這使得它在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同�(shí)能夠有效減少功率損��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�11A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ @ Vgs=10V
  柵極電荷�19nC
  總電容(Ciss):1220pF
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝類型:SO-8

特�

SI2307DS 具有以下顯著特性:
  1. 低導(dǎo)通電阻:� Rds(on) 僅為 4.5mΩ,有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能力:支持高達(dá) 11A 的連續(xù)漏極電流,適合大功率�(yīng)用�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能:較小的柵極電荷 (19nC) 確保了快速開(kāi)�(guān)速度,從而減少了�(kāi)�(guān)損��
  4. 寬工作溫度范圍:能夠� -55°C � +175°C 的結(jié)溫范圍內(nèi)�(wěn)定工�,適�(yīng)各種�(huán)境條��
  5. SO-8 封裝:緊湊且易于安裝,適用于空間受限的設(shè)�(jì)�
  這些特性使 SI2307DS 成為高性能電源管理和信�(hào)切換的理想選��

�(yīng)�

SI2307DS 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于保�(hù)電池免受�(guò)流或短路的影��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,包括無(wú)刷直流電�(jī) (BLDC) 控制�
  4. �(fù)載開(kāi)�(guān),用于控制不同負(fù)載的供電狀�(tài)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)控制�
  由于其高效的�(kāi)�(guān)特性和大電流承載能力,SI2307DS 在多種工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中均表�(xiàn)出色�

替代型號(hào)

SI4473DY, IRFZ44N, FDP55N06L

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  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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