SI2305DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用微型� SOT-23 封裝形式,具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,非常適合用于便攜式�(shè)�、電池供電系�(tǒng)以及需要高效能功率管理的應(yīng)用場��
其設(shè)計目標是為低電壓�(yīng)用提供高效的開關(guān)性能,并且能夠承受較高的電流負載。這種類型� MOSFET 在電源管�、負載開�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器等電路中非常常見�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�2.8A
導通電阻(Rds(on)):175mΩ
柵極電荷�4.5nC
總功耗:400mW
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:SOT-23
1. 低導通電阻(Rds(on)�,在低電壓下能夠有效降低功率損耗,提升效率�
2. 快速開�(guān)能力,有助于減少開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)的整體效��
3. 小型化的 SOT-23 封裝使得它特別適合于空間受限的設(shè)計環(huán)境�
4. 高度可靠的性能,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運行�
5. 低輸入電�,優(yōu)化了動態(tài)性能,減少了�(qū)動功��
6. 可承受高瞬態(tài)電壓,增強了器件的耐用��
1. 手機和平板電腦中的負載開�(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或開�(guān)元件�
3. 電池保護電路中的開關(guān)控制�
4. LED �(qū)動電路中的功率調(diào)節(jié)�
5. 各類便攜式電子設(shè)備中的功率管理模塊�
6. 小型化消費類電子�(chǎn)品中的保護和切換功能�
SI2306DS-T1-E3, SI2304DS-T1-GE3