SI2305DS是一款來自Vishay Siliconix的N溝道增強型MOSFET,采用TrenchFET Gen III技術制�。該器件主要針對高效率、低功耗應用設�,具有極低的導通電阻(Rds(on)�,適合用于負載開�、DC-DC轉換器、電池保護電路以及各種便攜式電子設備中的功率管理應用�
SI2305DS的封裝形式為微型的DS-T1-E3封裝,這種封裝有助于節(jié)省PCB空間,并具備良好的散熱性能�
最大漏源電�(Vds)�20V
最大柵源電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�4.6A
導通電�(Rds(on))�4.5mΩ(在Vgs=4.5V時)
柵極電荷(Qg)�8nC
反向傳輸電容(Crss)�10pF
工作結溫范圍�-55℃至+150�
SI2305DS采用了先進的TrenchFET Gen III工藝,具備以下顯著特點:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠在高頻開關條件下減少傳導損��
2. 小巧的封裝尺寸,非常適合空間受限的應用場��
3. 較低的柵極電荷和輸入電容,有助于提高開關速度并降低驅動損耗�
4. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠�
5. 高雪崩能力和魯棒�,可承受瞬態(tài)過壓和浪涌電流沖擊�
6. 支持快速開�,適用于同步整流和多相降壓轉換器等高性能需求場��
SI2305DS廣泛應用于需要高效功率管理的領域,包括但不限于:
1. 手機和平板電腦中的負載開��
2. 筆記本電腦及外設的電源管理�
3. DC-DC轉換器和POL(Point of Load)調節(jié)��
4. 電池供電設備中的保護電路�
5. 消費類電子產品中的背光驅動和電機控制�
6. 工業(yè)自動化設備中的小型化功率模塊�
SI2307DS, SI2309DS, BSC016N06NS