SI2304DDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用小型化的 SOT-23 封裝,適用于空間受限的應(yīng)用場景。它具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適合用于便攜式�(shè)�、電源管理模塊以及信號切換電路中�
該型號屬� SiStealth 系列,具有較低的柵極電荷和優(yōu)化的動態(tài)性能,能夠在高頻條件下提供高效能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�1.5A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):70mΩ
柵極電荷�6nC
總電容:39pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
SI2304DDS-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 低導(dǎo)通電� (Rds(on)),可減少功率損耗并提高效率�
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
3. 小型封裝�(shè)� (SOT-23),非常適合緊湊型 PCB 布局�
4. 高可靠性與�(wěn)定�,能夠適�(yīng)較寬的工作溫度范��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)�(guī)范�
6. 具有�(yōu)異的熱性能,能夠在高負(fù)載條件下保持�(wěn)定運��
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下機和平板電腦中的�(fù)載開�(guān)控制�
2. 電池供電�(chǎn)品的電源管理�
3. LED �(qū)動器� DC-DC �(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件�
4. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信號切換功��
5. 各種消費類電子產(chǎn)品及工業(yè)自動化系�(tǒng)的低�(cè)開關(guān)解決方案�
SI2302DS, BSS138, FDN337N