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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 10:31:45 查看 閱讀�9

SI2304DDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用小型化的 SOT-23 封裝,適用于空間受限的應(yīng)用場景。它具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適合用于便攜式�(shè)�、電源管理模塊以及信號切換電路中�
  該型號屬� SiStealth 系列,具有較低的柵極電荷和優(yōu)化的動態(tài)性能,能夠在高頻條件下提供高效能表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�1.5A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):70mΩ
  柵極電荷�6nC
  總電容:39pF
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

SI2304DDS-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 低導(dǎo)通電� (Rds(on)),可減少功率損耗并提高效率�
  2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
  3. 小型封裝�(shè)� (SOT-23),非常適合緊湊型 PCB 布局�
  4. 高可靠性與�(wěn)定�,能夠適�(yīng)較寬的工作溫度范��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)�(guī)范�
  6. 具有�(yōu)異的熱性能,能夠在高負(fù)載條件下保持�(wěn)定運��

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下機和平板電腦中的�(fù)載開�(guān)控制�
  2. 電池供電�(chǎn)品的電源管理�
  3. LED �(qū)動器� DC-DC �(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件�
  4. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信號切換功��
  5. 各種消費類電子產(chǎn)品及工業(yè)自動化系�(tǒng)的低�(cè)開關(guān)解決方案�

替代型號

SI2302DS, BSS138, FDN337N

si2304dds-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si2304dds-t1-ge3資料 更多>

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si2304dds-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫歐 @ 3.2A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs6.7nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds235pF @ 15V
  • 功率 - 最�1.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI2304DDS-T1-GE3-NDSI2304DDS-T1-GE3TR