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SI2304BDS-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 8:52:26 查看 閱讀�24

SI2304BDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采用小型化� SOT-23 封裝形式。這款器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適用于便攜式設(shè)�、負(fù)載開�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器、電源管理以及電池供電設(shè)備中的各種應(yīng)��
  該型�(hào)� Vishay Siliconix 系列中的一員,其設(shè)�(jì)旨在為工程師提供高性能的同�(shí)節(jié)省空�。由于其封裝小巧且性能卓越,因此在消費(fèi)電子和工�(yè)�(lǐng)域得到了廣泛�(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�8V
  連續(xù)漏極電流(Id)�2.7A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�135mΩ (典型�,在 Vgs=4.5V �(shí))
  總功�(Ptot)�430mW
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +150°C
  封裝類型:SOT-23

特�

SI2304BDS-T1-GE3 的主要特�(diǎn)包括�
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),能夠在高效率的�(yīng)用場(chǎng)景中減少功率損��
  2. 快速的開關(guān)速度使其非常適合高頻開關(guān)電路,例� DC-DC �(zhuǎn)換器和負(fù)載開�(guān)�
  3. 小型� SOT-23 封裝極大地減少了 PCB 面積占用,適合對(duì)空間要求�(yán)格的�(shè)��
  4. 高雪崩能量能力增�(qiáng)了器件的�(jiān)固�,提高了系統(tǒng)的可靠��
  5. 工作溫度范圍寬廣,能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)�,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的�(huán)保需��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,如手機(jī)、平板電�、筆記本電腦等的電源管理系統(tǒng)�
  2. 電池供電�(shè)�,用于電池保�(hù)和高效充電管��
  3. �(fù)載開�(guān)�(yīng)用,用于�(dòng)�(tài)�(diào)節(jié)系統(tǒng)中的不同�(fù)��
  4. DC-DC �(zhuǎn)換器和升�/降壓�(zhuǎn)換器,以�(shí)�(xiàn)高效的電壓調(diào)節(jié)�
  5. 各種工業(yè)控制�(shè)備中的信�(hào)切換和功率控��
  6. LED �(qū)�(dòng)電路中作為開�(guān)元件使用�

替代型號(hào)

SI2302DS, SI2303DS, SI2305DS

si2304bds-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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si2304bds-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫歐 @ 2.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs4nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds225pF @ 15V
  • 功率 - 最�750mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI2304BDS-T1-GE3TR