SI2303BDS 是一款由 Vishay 提供� N 溝道邏輯電平增強� MOSFET。該器件采用小型化的 SOT-23 封裝,適合在空間受限的應用中使用。由于其低導通電阻和快速開關能力,它非常適合用于負載開�、DC-DC �(zhuǎn)換器、電池供電設備以及便攜式電子�(chǎn)品的功率管理等應��
該型號中的“T1”表示卷帶封裝形�,“GE3”則表明符合 Vishay �(nèi)部的�(zhì)量與可靠性標��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�3.1A
導通電阻(典型值)�85mΩ
柵極閾值電壓(典型值)�1.2V
總功耗:420mW
工作溫度范圍�-55� � +150�
SI2303BDS 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� Rds(on),有助于減少傳導損耗并提高效率�
2. 邏輯電平�(qū)動兼容性,能夠直接與低電壓信號控制器配合使��
3. 快速開關速度,可降低開關損�,適用于高頻應用�
4. 小型 SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對緊湊設計的需��
5. 高雪崩能�,提供更可靠的過載保護性能�
6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保無鉛設��
SI2303BDS 廣泛應用于以下領域:
1. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器及電壓調(diào)節(jié)模塊中的功率開關�
2. 電池供電設備中的負載切換控制�
3. 手機、平板電腦等便攜式設備的電源管理系統(tǒng)�
4. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流功��
5. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
6. 通信�(chǎn)品中的信號路徑隔離或功率分配�
7. 工業(yè)自動化設備中的功率控制部分�
SI2302DS, SI2305DS, BSS138