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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI2303BDS-T1-GE3

SI2303BDS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 17:27:15 查看 閱讀�17

SI2303BDS 是一款由 Vishay 提供� N 溝道邏輯電平增強� MOSFET。該器件采用小型化的 SOT-23 封裝,適合在空間受限的應用中使用。由于其低導通電阻和快速開關能力,它非常適合用于負載開�、DC-DC �(zhuǎn)換器、電池供電設備以及便攜式電子�(chǎn)品的功率管理等應��
  該型號中的“T1”表示卷帶封裝形�,“GE3”則表明符合 Vishay �(nèi)部的�(zhì)量與可靠性標��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�3.1A
  導通電阻(典型值)�85mΩ
  柵極閾值電壓(典型值)�1.2V
  總功耗:420mW
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

SI2303BDS 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電� Rds(on),有助于減少傳導損耗并提高效率�
  2. 邏輯電平�(qū)動兼容性,能夠直接與低電壓信號控制器配合使��
  3. 快速開關速度,可降低開關損�,適用于高頻應用�
  4. 小型 SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對緊湊設計的需��
  5. 高雪崩能�,提供更可靠的過載保護性能�
  6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保無鉛設��

應用

SI2303BDS 廣泛應用于以下領域:
  1. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器及電壓調(diào)節(jié)模塊中的功率開關�
  2. 電池供電設備中的負載切換控制�
  3. 手機、平板電腦等便攜式設備的電源管理系統(tǒng)�
  4. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流功��
  5. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
  6. 通信�(chǎn)品中的信號路徑隔離或功率分配�
  7. 工業(yè)自動化設備中的功率控制部分�

替代型號

SI2302DS, SI2305DS, BSS138

si2303bds-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si2303bds-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.49A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫歐 @ 1.7A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs10nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds180pF @ 15V
  • 功率 - 最�700mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)