日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > SI2302DDS-T1-GE3

SI2302DDS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 9:52:28 查看 閱讀�23

SI2302DDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產� N 溝道增強� MOSFET 芯片。該器件采用 SOIC-8 封裝形式,適用于多種電源管理、負載開關以及信號切換等應用場合。其低導通電阻和快速開關特性使其成為高效率設計的理想選��
  SI2302 系列 MOSFET 集成了肖特基二極管結�,從而能夠提供反向恢復性能�(yōu)異的開關能力。這種設計非常適合于需要頻繁進行高速切換的應用場景,同時確保系�(tǒng)在運行時具備更低的功��

參數

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�4.4A
  導通電阻(Rds(on)):75mΩ(典型值,� Vgs=4.5V 時)
  總功耗:910mW
  工作結溫范圍�-55� � +150�
  封裝形式:SOIC-8

特�

SI2302DDS-T1-GE3 的主要特性包括以下幾點:
  1. 極低的導通電�,有助于減少功率損耗并提升整體效率�
  2. 內置肖特基二極管,可以有效防止反向電流沖�,提高系�(tǒng)的可靠��
  3. 快速開關速度,支持高頻應用環(huán)境�
  4. 工作溫度范圍寬廣,適合工�(yè)及汽車類嚴苛�(huán)境下的使��
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設��
  6. 小型化的 SOIC-8 封裝節(jié)省了電路板空�,簡化布局設計�

應用

該芯片廣泛應用于以下領域�
  1. 移動設備中的負載開關控制�
  2. DC-DC 轉換器與電壓調節(jié)模塊�
  3. 電池供電產品中的保護電路�
  4. 計算機外設和消費類電子產品的電源管理�
  5. LED 驅動器和背光控制�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的繼電器替代方��

替代型號

SI2301DD, SI2303DDS, BSS138

si2302dds-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si2302dds-t1-ge3參數

  • �(xiàn)有數�25,508�(xiàn)�
  • 價格1 : �3.90000剪切帶(CT�3,000 : �1.11564卷帶(TR�
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�20 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)2.9A(Tj�
  • 驅動電壓(最� Rds On,最� Rds On�2.5V�4.5V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)57 毫歐 @ 3.6A�4.5V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)850mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)5.5 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)710mW(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應商器件封�SOT-23-3(TO-236�
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3