SI2302DDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產� N 溝道增強� MOSFET 芯片。該器件采用 SOIC-8 封裝形式,適用于多種電源管理、負載開關以及信號切換等應用場合。其低導通電阻和快速開關特性使其成為高效率設計的理想選��
SI2302 系列 MOSFET 集成了肖特基二極管結�,從而能夠提供反向恢復性能�(yōu)異的開關能力。這種設計非常適合于需要頻繁進行高速切換的應用場景,同時確保系�(tǒng)在運行時具備更低的功��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�4.4A
導通電阻(Rds(on)):75mΩ(典型值,� Vgs=4.5V 時)
總功耗:910mW
工作結溫范圍�-55� � +150�
封裝形式:SOIC-8
SI2302DDS-T1-GE3 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電�,有助于減少功率損耗并提升整體效率�
2. 內置肖特基二極管,可以有效防止反向電流沖�,提高系�(tǒng)的可靠��
3. 快速開關速度,支持高頻應用環(huán)境�
4. 工作溫度范圍寬廣,適合工�(yè)及汽車類嚴苛�(huán)境下的使��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設��
6. 小型化的 SOIC-8 封裝節(jié)省了電路板空�,簡化布局設計�
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 移動設備中的負載開關控制�
2. DC-DC 轉換器與電壓調節(jié)模塊�
3. 電池供電產品中的保護電路�
4. 計算機外設和消費類電子產品的電源管理�
5. LED 驅動器和背光控制�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的繼電器替代方��
SI2301DD, SI2303DDS, BSS138