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SI2300BDS-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/19 19:22:32 查看 閱讀：18

SI2300BDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，采用 TSSOP-6 封裝形式。這款器件適用于高頻開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)合，具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度。它廣泛應(yīng)用于負(fù)載切換、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電源管理以及馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　最大柵源電壓：±8V
　　連續(xù)漏極電流：4.7A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：5mΩ
　　柵極電荷：7nC
　　開關(guān)速度：快速
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 150℃

特性

SI2300BDS-T1-GE3 具有出色的電氣性能，尤其是在低導(dǎo)通電阻方面表現(xiàn)出色。該器件的低 Rds(on) 可以有效減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。此外，其快速開關(guān)特性和低柵極電荷使得它非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
　　由于采用了 TSSOP-6 封裝，這款 MOSFET 占用空間較小，便于 PCB 布局設(shè)計(jì)。同時(shí)，該封裝形式具備良好的散熱性能，能夠滿足較高功率密度的應(yīng)用需求。
　　此器件還具備穩(wěn)健的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，能夠在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行，例如極端溫度范圍內(nèi)的表現(xiàn)依然可靠。

應(yīng)用

SI2300BDS-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于多種電子領(lǐng)域，包括但不限于以下場(chǎng)景：
　　1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流電路
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件
　　3. 電池供電設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)
　　4. 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)控制
　　5. 信號(hào)路由與保護(hù)電路
　　6. 便攜式電子設(shè)備中的高效功率管理單元

替代型號(hào)

SI2301DBV-T1-E3
　　SI2302DB-T1-E3
　　SI2309DS-T1-GE3

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