SI1908DL 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道邏輯電平增強� MOSFET。該器件采用小型化的 SOT-23 封裝,適用于空間受限的設計場景。其低導通電阻和快速開�(guān)特性使其成為便攜式電子設備、電池管理電�、負載開�(guān)以及 DC/DC �(zhuǎn)換器等應用的理想選擇�
該型� SI1908DL-T1-E3 特別�(yōu)化了性能和可靠�,適合工�(yè)級或擴展溫度范圍的應用�
最大漏源電壓:20V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.4A
導通電阻(典型值)�75mΩ
柵極電荷�6nC
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +150°C
封裝形式:SOT-23
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可減少功率損耗并提高效率�
2. 快速開�(guān)速度,支持高頻應��
3. 小型 SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間�
4. 寬工作溫度范�,適應各種惡劣環(huán)境�
5. 高雪崩耐量能力,增強了器件的魯棒��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設��
1. 手機和平板電腦中的電源管理模��
2. 筆記本電腦和便攜式設備的電池保護電路�
3. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC/DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
4. 負載開關(guān)和電機驅(qū)動控制�
5. 信號切換和保護電路�
6. 工業(yè)控制和自動化系統(tǒng)中的開關(guān)應用�
SI2302DS, BSS138, FDN340P