日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市�(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI1555DL-T1

SI1555DL-T1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 17:26:39 查看 閱讀�15

SI1555DL-T1 是一款由 Vishay 推出的高性能 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,采用小型化� SOT-23 封裝。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適合在便攜式設(shè)�、電池管理電�、負(fù)載切換以� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用中使用�
  其設(shè)�(jì)重點(diǎn)在于提供高效的功率轉(zhuǎn)換能力,并且具備�(yōu)秀的熱性能,使其能夠在緊湊的空間內(nèi)�(shí)�(xiàn)高能效的�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�1.8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.95Ω(典型�,在 Vgs=4.5V �(shí)�
  柵極電荷�4nC(典型值)
  總電容:36pF(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

SI1555DL-T1 具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高� PWM 控制電路�
  3. 緊湊� SOT-23 封裝形式,適合空間受限的�(yīng)用環(huán)��
  4. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣條件下的使用需��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)�(jì)�
  6. �(nèi)部保�(hù)�(jī)制確保穩(wěn)定運(yùn)�,延長使用壽��

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 手機(jī)和平板電腦中的電源管理模��
  2. 筆記本電腦及其他便攜式電子產(chǎn)品的�(fù)載開�(guān)�
  3. 開關(guān)模式電源(SMPS)及 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  4. 電池保護(hù)電路,例如鋰電池組的過流保護(hù)�
  5. LED �(qū)�(dòng)器中的高效開�(guān)元件�
  6. 電機(jī)控制和信�(hào)�(diào)節(jié)電路�

替代型號(hào)

SI2310DS-T1
  SI1562DD-T1
  NTMFS4C70N
  BSS138

si1555dl-t1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si1555dl-t1參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N and P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓+ 20 V, - 8 V
  • �/源擊穿電�+/- 12 V, +/- 8 V
  • 漏極連續(xù)電流0.7 A, 0.6 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)0.385 Ohms, 0.6 Ohms
  • 配置Dual
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOT-363-6
  • 封裝Reel
  • 下降�(shí)�16 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散270 mW
  • 上升�(shí)�16 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
  • 工廠包裝�(shù)�3000
  • 商標(biāo)�TrenchFET
  • 典型�(guān)閉延遲時(shí)�10 ns