時間：2025/5/19 11:46:59
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SI1417DH是來自Vishay Siliconix的一款N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件采用微型DFN2020-6L封裝，具有極低的導通電阻和優(yōu)異的開關性能，非常適合用于便攜式設備、負載開關、電池管理以及DC/DC轉換等應用。
SI1417DH在設計上針對低電壓應用進行了優(yōu)化，能夠在較低的柵極驅(qū)動電壓下提供出色的性能表現(xiàn)。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：3.9A
導通電阻（Rds(on)）：150mΩ @ Vgs=4.5V
柵極電荷：1.8nC
輸入電容：100pF
工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
SI1417DH具有以下主要特性：
1. 極低的導通電阻，可有效降低功率損耗。
2. 小型化封裝（DFN2020-6L），有助于節(jié)省電路板空間。
3. 在低柵極驅(qū)動電壓下表現(xiàn)出色，適合鋰電池供電的便攜式設備。
4. 超低柵極電荷，確保快速開關能力。
5. 符合RoHS標準，環(huán)保且無鹵素材料使用。
6. 提供可靠的ESD保護性能。
SI1417DH適用于廣泛的電子應用領域，包括但不限于：
1. 手機和其他便攜式消費類電子產(chǎn)品中的負載開關。
2. 鋰電池保護和充電管理電路。
3. DC/DC轉換器中的同步整流開關。
4. 高效電機驅(qū)動控制。
5. 信號切換和電源路徑管理。
6. 各種需要小型化和高效能的電路設計場景。
SI2328DS, SI1420DH
