SI1403BDL-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用小型化的封裝�(shè)�(jì),適用于高頻�(kāi)�(guān)和功率管理應(yīng)用。由于其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,它在電源轉(zhuǎn)�、負(fù)載開(kāi)�(guān)和電池管理等�(chǎng)景中表現(xiàn)�(yōu)��
這款 MOSFET 使用� Vishay 的先�(jìn)制造工�,能夠在高效率和低損耗的條件下運(yùn)行。其工作電壓范圍較寬,能夠適�(yīng)多種電路需求,同時(shí)具備出色的熱�(wěn)定性和可靠��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�3.6A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):75mΩ
柵極電荷�9nC
�(kāi)�(guān)速度:快�
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
封裝類型:DFN1006-2 (SC-79)
SI1403BDL-T1-E3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
3. 小尺寸封�,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�
4. 高度可靠的電氣和熱性能,確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子設(shè)備的要求�
6. 支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)�
這些特性使得該器件成為便攜式電子產(chǎn)品、通信�(shè)備和消費(fèi)類電子的理想選擇�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
3. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
4. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制�
5. 移動(dòng)�(shè)備和物聯(lián)�(wǎng)�(shè)備的電源管理�
6. �(shù)�(jù)通信接口的保�(hù)與控��
由于其高性能和小尺寸特點(diǎn),SI1403BDL-T1-E3 在需要高效能和緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用中具有明顯�(yōu)�(shì)�
SI1404BDL-T1-E3, SI1405BDL-T1-E3