SI1302DL-T1 是一款由 Vishay 提供的雙通道 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 功率晶體�,采用小型化 SOT-23-6L 封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,非常適合在空間受限的應(yīng)用中使用,如便攜式設(shè)�、電源管理模塊以及信�(hào)切換電路�
其設(shè)�(jì)目的是為了實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和更低的功耗,同時(shí)保持出色的熱性能和電氣穩(wěn)定��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.5A
�(dǎo)通電阻(典型值)�75mΩ
柵極電荷�1.5nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:t_on=10ns,t_off=15ns
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:SOT-23-6L
1. 低導(dǎo)通電� (Rds(on)) �(shè)�(jì),減少功率損耗并提高效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力支持高頻�(yīng)��
3. 高度集成的小型封裝節(jié)省電路板空間�
4. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠性�
5. 可承受較高的漏極電流,適用于多種�(fù)載條��
6. 寬工作溫度范圍適�(yīng)惡劣�(huán)境下的使用需��
該芯片廣泛應(yīng)用于各類需要高效功率控制的�(chǎng)合,包括但不限于以下�(lǐng)域:
1. 移動(dòng)�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和電池保�(hù)電路�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器及電源管理模塊�
3. 信號(hào)切換與隔離電��
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率調(diào)節(jié)單元�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的小型化功率�(qū)�(dòng)電路�
6. LED �(qū)�(dòng)和背光控制電��
SI1303DL-T1, SI2302DS, BSS138