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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI1302DL-T1

SI1302DL-T1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 9:50:59 查看 閱讀�26

SI1302DL-T1 是一款由 Vishay 提供的雙通道 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 功率晶體�,采用小型化 SOT-23-6L 封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,非常適合在空間受限的應(yīng)用中使用,如便攜式設(shè)�、電源管理模塊以及信�(hào)切換電路�
  其設(shè)�(jì)目的是為了實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和更低的功耗,同時(shí)保持出色的熱性能和電氣穩(wěn)定��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�1.5A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�75mΩ
  柵極電荷�1.5nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:t_on=10ns,t_off=15ns
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  封裝形式:SOT-23-6L

特�

1. 低導(dǎo)通電� (Rds(on)) �(shè)�(jì),減少功率損耗并提高效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力支持高頻�(yīng)��
  3. 高度集成的小型封裝節(jié)省電路板空間�
  4. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠性�
  5. 可承受較高的漏極電流,適用于多種�(fù)載條��
  6. 寬工作溫度范圍適�(yīng)惡劣�(huán)境下的使用需��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于各類需要高效功率控制的�(chǎng)合,包括但不限于以下�(lǐng)域:
  1. 移動(dòng)�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和電池保�(hù)電路�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器及電源管理模塊�
  3. 信號(hào)切換與隔離電��
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率調(diào)節(jié)單元�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的小型化功率�(qū)�(dòng)電路�
  6. LED �(qū)�(dòng)和背光控制電��

替代型號(hào)

SI1303DL-T1, SI2302DS, BSS138

si1302dl-t1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si1302dl-t1資料 更多>

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si1302dl-t1參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓30 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流0.6 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)0.48 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SC-70-3
  • 封裝Reel
  • 下降�(shí)�8 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散310 mW
  • 上升�(shí)�8 ns
  • 工廠包裝�(shù)�3000
  • 商標(biāo)�TrenchFET
  • 典型�(guān)閉延遲時(shí)�8 ns