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SI1067X-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/6/7 10:56:36 查看 閱讀�268

�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

家庭:MOSFET,GaNFET - �

FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén)

�(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�150 毫歐 @ 1.06A, 4.5V

漏極至源極電�(Vdss)�20V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�1.06A

Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�950mV @ 250μA

閘電�(Qg) @ Vgs�9.3nC @ 5V

� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �375pF @ 10V

功率 - 最大:236mW

安裝�(lèi)型:表面貼裝

封裝/外殼:SC-89-6, SOT-563F, SOT-666

包裝:帶� (TR)

供應(yīng)商設(shè)備封裝:*

其它名稱(chēng):SI1067X-T1-E3TR

資料

廠商
VISHAY

si1067x-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

si1067x-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI1067X
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫歐 @ 1.06A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)950mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs9.3nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds375pF @ 10V
  • 功率 - 最�236mW
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-563,SOT-666
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-89-6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)SI1067X-T1-E3TR