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SI1058X-T1-E3
時間�2023/6/7 10:58:22
閱讀�296
概述
制造商:Vishay
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�
RoHS:是
配置:SingleQuadDrain
晶體管極性:N-Channel
汲極/源極擊穿電壓�20V
�/源擊穿電壓:+/-12V
漏極連續(xù)電流�1.3A
功率耗散�236mW
最大工作溫度:+150�
安裝風格:SMD/SMT
封裝/箱體:SC-89-6
封裝:Reel
最小工作溫度:-55�
si1058x-t1-e3推薦供應(yīng)�
更多>
- �(chǎn)品型�
- 供應(yīng)�
- �(shù)�
- 廠商
- 封裝/批號
- 詢價
- SI1058X-T1-E3
- 中杰盛科技有限公司
- 36000
- Vishay
- 2025+/SOT563
-
- SI1058X-T1-E3
- 深圳市吉銘貿(mào)易有限公�
- 50000
- Vishay Siliconix
- 2020+/MOSFET NCH 20V 1.3A SOT563F
-
si1058x-t1-e3相關(guān)型號推薦
si1058x-t1-e3參數(shù)
- �(shù)�(jù)列表SI1058X
- 標準包裝3,000
- 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
- 家庭FET - �
- 系列TrenchFET®
- FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 特點邏輯電平門
- 漏極至源極電�(Vdss)20V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
- 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C91 毫歐 @ 1.3A�4.5V
- Id 時的 Vgs(th)(最大)1.55V @ 250µA
- 閘電�(Qg) @ Vgs5.9nC @ 5V
- 輸入電容 (Ciss) @ Vds380pF @ 10V
- 功率 - 最�236mW
- 安裝類型表面貼裝
- 封裝/外殼SOT-563,SOT-666
- 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-89-6
- 包裝帶卷 (TR)
- 其它名稱SI1058X-T1-E3TR