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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI1058X-T1-E3

SI1058X-T1-E3 發(fā)布時間 時間�2023/6/7 10:58:22 查看 閱讀�296

制造商:Vishay

目錄

概述

制造商:Vishay

�(chǎn)品種類:MOSFET小信�

RoHS:是

配置:SingleQuadDrain

晶體管極性:N-Channel

汲極/源極擊穿電壓�20V

�/源擊穿電壓:+/-12V

漏極連續(xù)電流�1.3A

功率耗散�236mW

最大工作溫度:+150�

安裝風格:SMD/SMT

封裝/箱體:SC-89-6

封裝:Reel

最小工作溫度:-55�

資料

廠商
VISHAY

si1058x-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si1058x-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI1058X
  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C91 毫歐 @ 1.3A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.55V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs5.9nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds380pF @ 10V
  • 功率 - 最�236mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-563,SOT-666
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-89-6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI1058X-T1-E3TR