SI1012R-T1-GE3
時間�2023/6/7 11:05:19
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概述
制造商:Vishay
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�
RoHS:是
配置:Single
晶體管極性:N-Channel
汲極/源極擊穿電壓�20V
�/源擊穿電壓:+/-6V
漏極連續(xù)電流�0.5A
功率耗散�150mW
最大工作溫度:+150�
安裝�(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:SC-75A-3
封裝:Reel
最小工作溫度:-55�
資料
廠商 |
---|
VISHAY |
Vishay Semiconductors |
si1012r-t1-ge3推薦供應(yīng)�
更多>
- �(chǎn)品型�
- 供應(yīng)�
- �(shù)�
- 廠商
- 封裝/批號
- 詢價
- SI1012R-T1-GE3
- 深圳智睿捷科技有限公司
- 3000
- PLINGSEMIC/鵬領(lǐng)
- 24+/SOT523
-
- SI1012R-T1-GE3
- 北京芯旗科技有限公司
- 332656
- VISHAY/威世
- 24+/SOT523
-
si1012r-t1-ge3相關(guān)型號推薦
si1012r-t1-ge3參數(shù)
- �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
- 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
- 家庭FET - �
- 系列-
- FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 特點(diǎn)邏輯電平門
- 漏極至源極電�(Vdss)20V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C500mA
- 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C700 毫歐 @ 600mA�4.5V
- Id 時的 Vgs(th)(最大)900mV @ 250µA
- 閘電�(Qg) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
- 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
- 功率 - 最�150mW
- 安裝類型表面貼裝
- 封裝/外殼SC-75A
- 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-75A
- 包裝帶卷 (TR)
- 其它名稱SI1012R-T1-GE3TR