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SI1002-E-GM2R 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/29 11:30:01 查看 閱讀：5

SI1002-E-GM2R是一款高性能的硅基功率MOSFET，適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用和電源管理領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，能夠在高效率下運(yùn)行。其封裝形式為TO-252，適合表面貼裝技術(shù)(SMT)，能夠有效減少寄生電感并提升散熱性能。
　　該型號(hào)廣泛用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電器、LED驅(qū)動(dòng)器以及其他需要高效能開(kāi)關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：2.9A
　　導(dǎo)通電阻：40mΩ
　　柵極電荷：7nC
　　開(kāi)關(guān)頻率：5MHz
　　結(jié)溫范圍：-55℃ to 150℃

特性

SI1002-E-GM2R具備卓越的電氣性能，包括但不限于低導(dǎo)通電阻以降低功耗，以及快速開(kāi)關(guān)能力以支持高頻應(yīng)用。此外，該器件還具有出色的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力，能夠在嚴(yán)苛的工作環(huán)境下保持可靠運(yùn)行。
　　其緊湊型封裝設(shè)計(jì)有助于簡(jiǎn)化電路板布局，并且與傳統(tǒng)通孔元件相比，可顯著節(jié)省空間。
　　由于采用了優(yōu)化的芯片結(jié)構(gòu)和封裝材料，SI1002-E-GM2R在高溫下的表現(xiàn)依然優(yōu)異，從而擴(kuò)大了其適用范圍。

應(yīng)用

這款MOSFET非常適合用作同步整流器、降壓或升壓轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)元件，同時(shí)也可以作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或保護(hù)電路的一部分。在消費(fèi)電子、通信設(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域中，SI1002-E-GM2R憑借其高效率和可靠性成為理想選擇。
　　典型應(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于USB充電器、適配器、筆記本電腦電源、智能家居產(chǎn)品等。

替代型號(hào)

SI1003-E-GM2R
　　IRLML6402
　　FDS6680

si1002-e-gm2r推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si1002-e-gm2r產(chǎn)品

si1002-e-gm2r參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格2,500 : ￥69.52190卷帶（TR）
  • 系列-
  • 包裝卷帶（TR）
  • 產(chǎn)品狀態(tài)不適用于新設(shè)計(jì)
  • 類型TxRx + MCU
  • 射頻系列/標(biāo)準(zhǔn)通用 ISM < 1GHz
  • 協(xié)議EZRadioPro
  • 調(diào)制FSK，GFSK，OOK
  • 頻率240MHz ~ 960MHz
  • 數(shù)據(jù)速率（最大值）256kbps
  • 功率 - 輸出13dBm
  • 靈敏度-121dBm
  • 存儲(chǔ)容量64kB 閃存，4.35kB RAM
  • 串行接口I2C，SPI，UART
  • GPIO22
  • 電壓 - 供電1.8V ~ 3.6V
  • 電流 - 接收18.5mA
  • 電流 - 傳輸17mA ~ 30mA
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼42-VFLGA 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商器件封裝42-LGA（5x7）