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SGP10N60RUFDTU 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 10:48:35 查看 閱讀�26

SGP10N60RUFDTU是一款高壓超�(jié)MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor�,采用先�(jìn)的超�(jié)技�(shù)�(shè)�(jì),適用于高頻開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、逆變器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)�。這款器件以其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度而聞名,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低能��
  該型號中的關(guān)鍵特征包括其耐壓能力�(dá)�600V,使其適合高電壓�(huán)境下的工作需�;同時具備極低的�(dǎo)通電阻(通常在幾百毫歐級別),有助于減少�(dǎo)通損耗。此�,SGP10N60RUFDTU�(yōu)化了柵極電荷參數(shù),從而�(jìn)一步提升了開關(guān)性能�

參數(shù)

類型:MOSFET
  最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�10A
  �(dǎo)通電阻:45mΩ(典型值)
  總柵極電荷:75nC
  輸入電容�2100pF
  封裝形式:TO-247
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

1. 超結(jié)�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)�(shí)�(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的平衡�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻確保更小的傳導(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)特性支持高頻應(yīng)用�
  4. �(yōu)化的柵極�(qū)動設(shè)�(jì)簡化了電路設(shè)�(jì)�(fù)雜度�
  5. 高可靠性設(shè)�(jì)適用于工�(yè)級和汽車級應(yīng)��
  6. 提供出色的熱性能,能夠有效散熱以適應(yīng)�(yán)苛的工作條件�
  7. 具備ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)器件魯棒��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的主開�(guān)管�
  2. 電機(jī)�(qū)動系�(tǒng)中的功率級元��
  3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模塊�
  4. LED�(qū)動電源中的高效功率管理元��
  5. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)組件�
  6. 電動車充電站以及相關(guān)電力電子�(shè)備中的核心功率元件�

替代型號

STP10NM60, IRFP460, FQA14P120

sgp10n60rufdtu推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

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  • 型號
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sgp10n60rufdtu參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�2.8V @ 15V�10A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)16A
  • 功率 - 最�75W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220
  • 包裝管件
  • 其它名稱SGP10N60RUFDTU-NDSGP10N60RUFDTUFS