SFM-115-L1-L-D-K-TR 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體管,專為高頻和高效率應用場景設計。該型號適用于電源管�、射頻放大器以及高速開關電路等領域。其封裝形式為表面貼裝類�,能夠提供出色的熱性能和電氣性能�
這款晶體管的主要特點包括低導通電阻、快速開關速度和高擊穿電壓,非常適合對能效要求較高的應用環(huán)境�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�15A
導通電阻:7mΩ
柵極電荷�80nC
開關頻率:最高可�5MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:表面貼�
SFM-115-L1-L-D-K-TR 具有以下顯著特性:
1. 高效的氮化鎵(GaN)技�,確保了低導通電阻和快速開關能力�
2. 支持高達5MHz的開關頻�,適合高頻應用場合�
3. 封裝設計�(yōu)化了散熱路徑,從而提高了器件在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性�
4. 提供卓越的抗電磁干擾性能,減少了外部噪聲對系�(tǒng)的影響�
5. �(nèi)置保護機制,如過流保護和短路保護,增強了可靠��
該型號廣泛應用于多種領域�
1. 開關模式電源(SMPS�,用于提高轉(zhuǎn)換效率�
2. 射頻功率放大�,在通信設備中提供穩(wěn)定輸出�
3. 電機�(qū)動電�,支持快速動�(tài)響應和高精度控制�
4. 太陽能逆變�,實�(xiàn)高效能量�(zhuǎn)換�
5. �(shù)�(jù)中心電源解決方案,降低整體能��
SFM-115-H2-L-D-K-TR, SFM-120-L1-L-D-K-TR