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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SFM-110-T2-F-D-A-K-TR

SFM-110-T2-F-D-A-K-TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 13:55:15 查看 閱讀�9

SFM-110-T2-F-D-A-K-TR 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高頻功率晶體管,主要用于射頻和微波放大器應(yīng)�。該器件采用增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)設(shè)�(jì),具有高�(kāi)�(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和出色的熱性能。它適用于通信系統(tǒng)、雷�(dá)、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域的高效率功率放大器�(shè)�(jì)�
  此型�(hào)中的具體字母和數(shù)字代表不同的封裝�(lèi)�、電壓等�(jí)、頻率范圍和其他特性參�(shù),用�(hù)可以根據(jù)�(shí)際需求選擇合適的版本�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�35A
  峰值脈沖電流:70A
  �(dǎo)通電阻:8mΩ
  柵極電荷�45nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:10ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-263-7

特�

SFM-110-T2-F-D-A-K-TR 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 高效� GaN 技�(shù)確保了其卓越的開(kāi)�(guān)性能和高頻操作能��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻降低了傳導(dǎo)損�,提高了整體效率�
  3. 出色的熱管理能力使其能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  4. 快速的�(kāi)�(guān)速度支持高頻�(yīng)�,減少磁性元件的體積和成��
  5. 緊湊的封裝設(shè)�(jì)便于集成到各種射頻和微波系統(tǒng)中�
  6. 可靠性經(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)�,滿(mǎn)足軍工級(jí)和工�(yè)�(jí)�(biāo)�(zhǔn)�

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 射頻功率放大器設(shè)�(jì),特別是在無(wú)線通信基站��
  2. 微波能量傳輸�(shè)�,如工業(yè)加熱和烹飪器具�
  3. 雷達(dá)系統(tǒng)中的�(fā)射機(jī)模塊�
  4. �(wèi)星通信系統(tǒng)中的固態(tài)功率放大器�
  5. �(yī)療成像設(shè)備中的高頻信�(hào)生成單元�
  6. 汽車(chē)?yán)走_(dá)和自�(dòng)駕駛輔助系統(tǒng)的功率模塊�

替代型號(hào)

SFM-110-T2-F-D-B-K-TR
  SFM-110-T2-F-D-C-K-TR
  SFM-110-T2-F-D-E-K-TR

sfm-110-t2-f-d-a-k-tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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