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SFDG45DQ102 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/26 19:00:02 查看 閱讀:8

SFDG45DQ102是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,適用于對(duì)效率和可靠性要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。
  這款芯片設(shè)計(jì)用于處理大電流負(fù)載,并能夠承受高電壓條件下的工作環(huán)境。它支持快速充放電循環(huán),同時(shí)具備良好的電磁兼容性,可減少干擾信號(hào)的影響。

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型
  最大漏源電壓(Vds):100V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  持續(xù)漏極電流(Id):30A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
  柵極電荷(Qg):65nC
  工作溫度范圍(Ta):-55°C to +175°C
  封裝形式:TO-247

特性

SFDG45DQ102具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在高頻應(yīng)用中能有效降低功耗。
  2. 高開關(guān)速度,有助于提高系統(tǒng)效率并減小濾波器尺寸。
  3. 良好的熱穩(wěn)定性,即使在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定的性能。
  4. 內(nèi)置ESD保護(hù)電路,增強(qiáng)了器件的抗靜電能力。
  5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代綠色電子產(chǎn)品的要求。

應(yīng)用

SFDG45DQ102適用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心元件,用于電壓調(diào)節(jié)。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的逆變橋臂組件。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
  5. 新能源汽車中的電池管理系統(tǒng)(BMS)和逆變器部分。
  6. 大功率LED照明系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路。

替代型號(hào)

IRFP2907
  STP30NF10
  FDP18N10

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