SENC3D12V1BA 是一款由日本廠商 Sanken 推出� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TO-220 封裝,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器等需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景。其高耐壓和低�(dǎo)通電阻的特點使其在中高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
最大漏源電壓:600V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�4A
脈沖漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.8Ω
總功耗:75W
工作溫度范圍�-55� to 150�
SENC3D12V1BA 的主要特性包括高擊穿電壓、低�(dǎo)通電阻以及出色的熱穩(wěn)定性。這些特點使其能夠適應(yīng)苛刻的工作條件并減少能量損��
高擊穿電壓為 600V,確保了它在高壓�(huán)境中的可靠��
低導(dǎo)通電阻降低了傳導(dǎo)損�,提高了整體效率�
同時,TO-220 封裝形式提供了良好的散熱性能,進一步增強了器件的耐用性和使用壽命�
SENC3D12V1BA 廣泛�(yīng)用于各種功率電子�(lǐng)域,例如開關(guān)模式電源 (SMPS)、直流電機驅(qū)�、太陽能逆變器以及不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)。此�,它還適用于工業(yè)控制�(shè)�、家用電器以及汽車電子系�(tǒng)中的功率管理模塊�
IRFZ44N
FQP16N60
STP12NK60Z